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1. (WO2017203502) SYSTÈME DE DÉPÔT HAUTE PRÉCISION PAR MASQUE PERFORÉ ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
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N° de publication :    WO/2017/203502    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/054481
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 24.07.2017
CIB :
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01)
Déposants : EMAGIN CORPORATION [US/US]; 2070 Route 52, Building 334 Hopewell Junction, New York 12533 (US)
Inventeurs : ANANDAN, Munisamy; (US).
GHOSH, Amalkumar; (US).
VAZAN, Fridrich; (UM).
DONOGHUE, Evan; (US).
KHAYRULLIN, Ilyas; (US).
ALI, Tariq; (US).
TICE, Kerry; (US)
Mandataire : GERAIGERY, Janine; (US)
Données relatives à la priorité :
62/340,793 24.05.2016 US
15/597,635 17.05.2017 US
15/602,939 23.05.2017 US
Titre (EN) HIGH-PRECISION SHADOW-MASK-DEPOSITION SYSTEM AND METHOD THEREFOR
(FR) SYSTÈME DE DÉPÔT HAUTE PRÉCISION PAR MASQUE PERFORÉ ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)A direct-deposition system forming a high-resolution pattern of material on a substrate is disclosed. Vaporized atoms from an evaporation source pass through a pattern of through-holes in a shadow mask to deposit on the substrate in the desired pattern. The shadow mask is held in a mask chuck that enables the shadow mask and substrate to be separated by a distance that can be less than ten microns. Prior to reaching the shadow mask, vaporized atoms pass through a collimator that operates as a spatial filter that blocks any atoms not travelling along directions that are nearly normal to the substrate surface. Vaporized atoms that pass through the shadow mask exhibit little or no lateral spread after passing through through-holes and the material deposits on the substrate in a pattern that has very high fidelity with the through-hole pattern of the shadow mask.
(FR)Cette invention concerne un système de dépôt direct permettant de former un motif haute résolution d'un matériau sur un substrat. Les atomes vaporisés provenant d'une source d'évaporation passent à travers un motif de trous traversants dans un masque perforé pour se déposer sur le substrat selon le motif souhaité. Le masque perforé est retenu dans un support de masque qui permet de séparer le masque perforé et le substrat d'une distance qui peut être inférieure à dix microns. Avant d'atteindre le masque perforé, les atomes vaporisés passent à travers un collimateur qui fonctionne comme un filtre spatial qui bloque les atomes qui ne se déplacent pas le long de directions quasi normales à la surface du substrat. Les atomes vaporisés qui passent à travers le masque perforé présentent peu ou pas d'étalement latéral après avoir traversé ses trous traversants, et le matériau se dépose sur le substrat selon un motif qui présente une très haute fidélité par rapport au motif de trous traversants du masque perforé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)