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1. (WO2017203063) PRÉPARATION DE SILICIUM POREUX (99,99 %) PAR ÉLECTRO-OXYDATION DE SILICIUM MÉTALLURGIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/203063 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/062915
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 29.05.2017
CIB :
C01B 33/037 (2006.01) ,C25F 3/12 (2006.01) ,H01M 4/38 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITE DE RENNES 1[FR/FR]; 2, rue du Thabor 35000 RENNES, FR
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)[FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 PARIS, FR
Inventeurs : JOUIKOV, Viatcheslav; FR
ZIZUMBO-LOPEZ, Arturo; MX
Mandataire : REGIMBEAU; 20, rue de Chazelles 75847 PARIS CEDEX 17, FR
Données relatives à la priorité :
16305617.927.05.2016EP
Titre (EN) PREPARATION OF POROUS SILICON (99.99%) BY ELECTRO-OXYDATION OF METALLURGICAL GRADE SILICON
(FR) PRÉPARATION DE SILICIUM POREUX (99,99 %) PAR ÉLECTRO-OXYDATION DE SILICIUM MÉTALLURGIQUE
Abrégé :
(EN) The invention relates to an electrochemical etching process for the enrichment and preparation of porous silicon by anodic etching of any starting metallurgical grade silicon pieces with a minimum67.7 At% Si content in an anhydrous aprotic organic solvent containing a dissolved tertiary ammonium salt resulting from the corresponding amine and a mineral acid as supporting electrolyte.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure électrochimique pour l'enrichissement et la préparation de silicium poreux par gravure anodique de n'importe quelle pièce initiale de silicium métallurgique ayant une teneur minimale en Si de 67,7 % atomique dans un solvant organique aprotique anhydre contenant un sel d'ammonium tertiaire dissous, ce qui donne l'amine correspondante et un acide minéral en tant qu'électrolyte de support.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)