WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE sera indisponible quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 18.08.2018 à 09:00 CEST
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017202860) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE GUIDAGE FONCTIONNALISÉ POUR UN PROCÉDÉ DE GRAPHO-ÉPITAXIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/202860 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/062455
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 23.05.2017
CIB :
H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,G03F 7/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H01L 21/3115 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D 75015 PARIS, FR
Inventeurs : TIRON, Raluca; FR
POSSEME, Nicolas; FR
CHEVALIER, Xavier; FR
Mandataire : CABINET CAMUS LEBKIRI; 25 rue de maubeuge 75009 PARIS, FR
Données relatives à la priorité :
165479127.05.2016FR
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A FUNCTIONALISED GUIDE PATTERN FOR A GRAPHOEPITAXY METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE GUIDAGE FONCTIONNALISÉ POUR UN PROCÉDÉ DE GRAPHO-ÉPITAXIE
Abrégé : front page image
(EN) A method for forming a functionalised guide pattern (4) for the self-assembly of a block copolymer by graphoepitaxy, comprising the following steps: forming, on a substrate (1), a guide pattern (4) made of a first material having a first chemical affinity for the block copolymer, the guide pattern (4) having a cavity (7) with a bottom (6) and side walls (5); grafting a functionalisation layer made of a second polymeric material having a second chemical affinity for the block copolymer, the functionalisation layer having a first portion (11) grafted onto the bottom (6) of the cavity (7) and a second portion grafted onto the side walls (5) of the cavity (7); selectively etching the second portion of the functionalisation layer relative to the first portion (11) of the functionalisation layer, said etching comprising a step of exposure to an ion beam following a direction that intersects the second portion of the functionalisation layer, such that the ion beam does not reach the first portion of the functionalisation layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un motif de guidage (4) fonctionnalisé destiné à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs par grapho-épitaxie, comportant les étapes suivantes : formation sur un substrat (1) d'un motif de guidage (4) en un premier matériau ayant une première affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs, le motif de guidage (4) comportant une cavité (7) comportant un fond (6) et des parois latérales (5); greffage d'une couche de fonctionnalisation en un deuxième matériau polymère ayant une deuxième affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs, la couche de fonctionnalisation comportant une première partie (11) greffée sur le fond (6) de la cavité (7) et une deuxième partie greffée sur les parois latérales (5) de la cavité (7); gravure de la deuxième partie de la couche de fonctionnalisation sélectivement par rapport à la première partie (11) de la couche de fonctionnalisation, ladite gravure comprenant une étape d'exposition à un faisceau d'ions dirigé suivant une direction sécante à la deuxième partie de la couche de fonctionnalisation de sorte que le faisceau d'ions n'atteigne pas la première partie de la couche de fonctionnalisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)