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1. (WO2017202656) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN, DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN

Pub. No.:    WO/2017/202656    International Application No.:    PCT/EP2017/061784
Publication Date: 30 nov. 2017 International Filing Date: 17 mai 2017
IPC: C30B 15/04
C30B 15/14
C30B 15/20
C30B 15/30
C30B 29/06
Applicants: SILTRONIC AG
Inventors: HEUWIESER, Walter
KNERER, Dieter
SCHACHINGER, Werner
OOKUBO, Masamichi
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN, DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abstract:
L'invention concerne un procédé permettant de produire une plaquette de semi-conducteur en silicium monocristallin, un dispositif pour mettre ledit procédé en oeuvre et une plaquette de semi-conducteur en silicium monocristallin, laquelle contient de l'oxygène et au moins un dopant de type n. Le procédé comprend les étapes suivantes : fournir une matière fondue en silicium qui contient le dopant de type n, dans un creuset en quartz, ladite matière fondue présentant une hauteur initiale hM; chauffer la matière fondue depuis le côté par apport sélectif de chaleur jusqu'à un volume supérieur de la matière fondue, lequel présente une hauteur initiale hm, la hauteur hm étant inférieure à la hauteur hM; tirer de la matière fondue un monocristal en silicium selon le procédé Czochralski, avec une vitesse de tirage V; chauffer la matière fondue par le haut dans la zone d'une limite de phase entre le monocristal en croissance et la matière fondue; chauffer la matière fondue par le haut dans la zone d'une surface de la matière fondue; appliquer un champ magnétique à la matière fondue; contredoper la matière fondue avec un dopant de type p et séparer la plaquette de semi-conducteur en silicium monocristallin, du monoscrital.