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1. (WO2017202652) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE TRANSPARENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/202652    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/061757
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 16.05.2017
CIB :
H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/08 (2006.01), H01L 41/318 (2013.01), H01L 41/29 (2013.01)
Déposants : LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST) [LU/LU]; 5, avenue des Hauts-Fourneaux 4362 Esch-sur-Alzette (LU)
Inventeurs : SETTE, Daniele; (FR).
DEFAY, Emmanuel; (LU)
Mandataire : LECOMTE & PARTNERS; P.O. Box 1623 1016 Luxembourg (LU)
Données relatives à la priorité :
LU93084 24.05.2016 LU
Titre (EN) TRANSPARENT PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE TRANSPARENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention is directed to a transparent piezoelectric device (2) comprising a transparent substrate (4); a transparent piezoelectric layer (6); a transparent layer (8) of interdigitated electrodes. The transparent piezoelectric layer (6) is disposed between the substrate (4) and the layer (8) of interdigitated electrodes. A transparent dielectric layer (10) of l-30nm thickness is disposed between the substrate (4) and the piezoelectric layer (6).
(FR)L'invention concerne un dispositif piézoélectrique transparent (2) comprenant un substrat transparent (4) ; une couche piézoélectrique transparente (6) ; une couche transparente (8) d'électrodes interdigitées. La couche piézoélectrique transparente (6) est disposée entre le substrat (4) et la couche (8) d'électrodes interdigitées. Une couche diélectrique transparente (10) d'une épaisseur de 1 à 30 nm est disposée entre le substrat (4) et la couche piézoélectrique (6).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)