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1. (WO2017201709) STRUCTURE DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR ALIMENTÉ PAR BATTERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/201709    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/083456
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : ZHONGSHAN HKG TECHNOLOGIES LIMITED [CN/CN]; No. 32 Dongyi Road, Dong Town Huoju Development Area zhongshan, Guangdong 528437 (CN)
Inventeurs : ZHOU, Xianda; (CN).
XU, Yuanmei; (CN).
SHU, Xiaoping; (CN)
Mandataire : SHENZHEN QIANNA PATENT AGENCY LTD; Room 601-605 Unit West, Xincheng Building Shennan Road Central, Futian Shenzhen, Guangdong 518031 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLID POWER SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR ALIMENTÉ PAR BATTERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solid power semiconductor field effect transistor (FET) structure, relating to structures of power semiconductor devices. Provided is a solid high-density grid-control tunnel-junction power FET structure. The structure is characterized in that: multiple evenly arranged light-doped JFET regions (n-312) of a first conduction type are provided at the top of a drift region (313) of the first conduction type and are laterally surrounded by a heavy-doped source region (p+311) of a second conduction type. The structure has the effect of reducing the specific on-resistance.
(FR)La présente invention a trait à une structure de transistor à effet de champ à semi-conducteur (FET) alimenté par batterie à semi-conducteurs, concernant des structures de dispositifs à semi-conducteurs de puissance. L'invention a trait à une structure de transistor à effet de champ de puissance à jonction tunnel à commande de grille haute densité à semi-conducteur. La structure est caractérisée en ce que : de multiples régions JFET (n-312) dopées légèrement, disposées de manière uniforme et d'un premier type de conduction, sont disposées au sommet d'une région de dérive (313) du premier type de conduction et sont entourées latéralement par une région de source fortement dopée (p+311) d'un second type de conduction. La structure a pour effet de réduire la résistance spécifique à l'état conducteur.
(ZH)提供一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构,涉及功率半导体器件的结构,具有高密度的栅极控制的隧穿结的坚固的功率FET结构,其改进点在于:在第一导电类型的漂移区(313)顶部上设有多个均匀排列的第一导电类型的轻掺杂JFET区(n-312),多个第一导电类型的轻掺杂JFET区(n-312)被第二导电类型的重掺杂源区(p+311)侧向包围,降低比导通电阻。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)