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1. (WO2017201702) PROCÉDÉ DE TEXTURATION DE LA SURFACE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN

Pub. No.:    WO/2017/201702    International Application No.:    PCT/CN2016/083413
Publication Date: Fri Dec 01 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Fri May 27 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/306
H01L 31/18
Applicants: NANJING ZHONGYUN NEW MATERIALS CO. LTD.
南京中云新材料有限公司
Inventors: SUN, Xueyun
孙雪云
LI, Yuan
李渊
Title: PROCÉDÉ DE TEXTURATION DE LA SURFACE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abstract:
Le mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de texturation de la surface d'une tranche de silicium monocristallin, consistant à : placer une tranche de silicium monocristallin dans une solution mixte A et effectuer un dépôt de métal de surface et un traitement de gravure pour former une texture de pyramide inversée, la solution mixte A comprenant de l'acide fluorhydrique, un oxydant, des ions métalliques, un dispersant et de l'eau, le dispersant comprenant un dispersant anionique, un tensioactif non ionique, un agent de désintégration et de l'eau, et la masse totale de dispersant contient, en % en poids, un dispersant anionique à hauteur de 20 à 40 %, un tensioactif non ionique à hauteur de 8 à 15 %, et un agent de désintégration à hauteur de 3 à 8 %, le reste étant de l'eau ; et éliminer le métal résiduel ou l'oxyde de métal de la surface de la tranche de silicium monocristallin. Le procédé de la présente invention peut efficacement empêcher l'agrégation de particules métalliques, de telle sorte que des particules métalliques sur la surface de la tranche de silicium monocristallin sont déposées plus uniformément, ce qui facilite la formation d'une texture de pyramide inversée à taille réglable sur la surface de la tranche de silicium monocristallin.