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1. (WO2017201550) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE À DISPOSITIF DE SERRAGE AMÉLIORÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/201550 N° de la demande internationale : PCT/US2017/041063
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 07.07.2017
CIB :
H01L 27/07 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : LITTELFUSE, INC.[US/US]; 8755 West Higgins Road Suite 500 Chicago, Illinois 60631, US
Inventeurs : YERGER, Justin; US
Mandataire : DAISAK, Daniel N.; US
Données relatives à la priorité :
15/641,87705.07.2017US
62/337,76817.05.2016US
Titre (EN) IGBT HAVING IMPROVED CLAMP ARRANGEMENT
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE À DISPOSITIF DE SERRAGE AMÉLIORÉ
Abrégé :
(EN) In one embodiment, an insulated gate bipolar transistor (IGBT) device may include an NMOS portion and a PNP portion, where the PNP portion is coupled to the NMOS portion. The PNP portion may include a base and a collector. The IGBT may further include a flyback clamp, where the flyback clamp is coupled between the base and the collector of the PNP portion.
(FR) Selon un mode de réalisation, un dispositif de transistor bipolaire à grille isolée peut comprendre une partie NMOS et une partie PNP, la partie PNP étant couplée à la partie NMOS. La partie PNP peut comprendre une base et un collecteur. Le transistor bipolaire à grille isolée peut en outre comprendre une pince de retour, la pince de retour étant couplée entre la base et le collecteur de la partie PNP.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)