WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017201353) GÉNÉRATEUR DE RÉFÉRENCE DE COURANT ET DE TENSION STABILISÉE ET CIRCUITS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/201353    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/033429
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 18.05.2017
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/07 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), G05F 3/24 (2006.01), G01K 7/01 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 North Franklin Street 5th Floor Oakland, California 94607 (US)
Inventeurs : MERCIER, Patrick; (US).
WANG, Hui; (US)
Mandataire : FALLON, Steven P.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/338,262 18.05.2016 US
Titre (EN) STABILIZED VOLTAGE AND CURRENT REFERENCE GENERATOR AND CIRCUITS
(FR) GÉNÉRATEUR DE RÉFÉRENCE DE COURANT ET DE TENSION STABILISÉE ET CIRCUITS
Abrégé : front page image
(EN)An ultra-low-power voltage reference generator in an integrated CMOS circuit includes a regular MOS transistor reference current source connected to a line voltage and a regular MOS transistor resistor between the regular MOS transistor reference current source and ground. A constant with temperature reference voltage VREF is generated from a terminal inter-connecting the regular MOS transistor reference current source and the regular MOS transistor resistor. An ultra-low-power current reference generator receives a reference voltage and generated ultra-low level current from the reference voltage with a temperature compensated gate-leakage array.
(FR)Un générateur de référence de tension à très faible puissance dans un circuit CMOS intégré comprend une source de courant de référence de transistor MOS régulier connectée à une tension du réseau et une résistance de transistor MOS régulier entre la source de courant de référence de transistor MOS régulier et la masse. Une constante à tension de référence de température VREF est générée à partir d'une borne reliant la source de courant de référence de transistor MOS régulier et la résistance de transistor MOS régulier. Un générateur de référence de courant à très faible puissance reçoit une tension de référence et un courant de niveau très faible généré à partir de la tension de référence avec un réseau de fuites de grille à compensation de température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)