WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017200649) MATÉRIAUX DOPÉS OU ALLIÉS ET PROCÉDÉ DE COMPRESSION ISOSTATIQUE À CHAUD POUR LEUR FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/200649    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/025719
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 03.04.2017
CIB :
C04B 41/88 (2006.01)
Déposants : GOVERNMENT OF THE UNITED STATES, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE AIR FORCE [US/US]; 2240 B Street Bldg. 11, Room 204 Wright-Patterson AFB, OH 45433-7109 (US)
Inventeurs : COOK, Gary; (US).
STITES, Ronald, W.; (US)
Mandataire : BARLOW, Timothy, M.; (US).
WHITAKER, Chastity; (US).
MOORE, Jeffrey; (US).
FIGER, Charles; (US).
SOPKO, Jason; (US)
Données relatives à la priorité :
62/320,110 08.04.2016 US
62/368,665 29.07.2016 US
Titre (EN) DOPED OR ALLOYED MATERIALS AND HOT ISOSTATIC PRESSING METHOD OF MAKING SAME
(FR) MATÉRIAUX DOPÉS OU ALLIÉS ET PROCÉDÉ DE COMPRESSION ISOSTATIQUE À CHAUD POUR LEUR FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a doped substrate comprises heating a substrate comprising a layer of a dopant on at least one surface to a predetermined temperature; applying a predetermined degree of isostatic external pressure on the surface of said substrate at said predetermined temperature for a time sufficient to induce thermal migration of the dopant into the substrate to provide a doped substrate; and removing the isostatic pressure and cooling the doped substrate to about room temperature. The substrate is a glass material, a single crystal material, a poly- crystalline material, a ceramic material, or a semiconductor material, and the substrate may be optically transparent. The dopant comprises one or more transition metals, one or more rare earth elements, or a combination of both. The layer of a dopant comprises one or more segregated layers of distinct chemical species. The isostatic pressure and elevated temperature may be applied simultaneously or sequentially.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un substrat dopé qui consiste à chauffer un substrat comprenant une couche d'un dopant sur au moins une surface à une température prédéterminée; à appliquer un degré prédéterminé de pression externe isostatique sur la surface dudit substrat à ladite température prédéterminée pendant une durée suffisante pour induire une migration thermique du dopant dans le substrat afin d'obtenir un substrat dopé; et à éliminer la pression isostatique et refroidir le substrat dopé à une température proche environ de la température ambiante. Le substrat est un matériau de verre, un matériau monocristallin, un matériau polycristallin, un matériau céramique, ou un matériau semi-conducteur, et le substrat peut être optiquement transparent. Le dopant comprend un ou plusieurs métaux de transition, un ou plusieurs éléments des terres rares, ou une combinaison des deux. La couche de dopant comprend une ou plusieurs couches séparées d'espèces chimiques distinctes. La pression isostatique et la température élevée peuvent être appliquées simultanément ou séquentiellement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)