WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE sera indisponible quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 18.08.2018 à 09:00 CEST
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017200267) CAPTEUR EN GALETTE POUR MESURE DE TEMPÉRATURE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/200267 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/005058
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 16.05.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 35/32 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,G01N 21/95 (2006.01)
Déposants : KOREA RESEARCH INSTITUTE OF STANDARDS AND SCIENCE[KR/KR]; 267, Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34113, KR
Inventeurs : KIM, Tae Wan; KR
KANG, Sang Woo; KR
KIM, Yong Gyoo; KR
KWON, Su Yong; KR
Mandataire : KIM, Young Ho; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-005967816.05.2016KR
10-2017-002452424.02.2017KR
Titre (EN) TEMPERATURE MEASUREMENT WAFER SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CAPTEUR EN GALETTE POUR MESURE DE TEMPÉRATURE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(KO) 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN) A temperature measurement wafer sensor according to the present invention is characterized in that a burying groove, in which a temperature measurement part is buried, is formed on a wafer and the temperature measurement part is buried in the burying groove. The temperature measurement part can be formed to be sufficiently thick and thus can be manufactured to have a bulk property, so as to allow the wafer sensor to be stable even at a high temperature. Further, according to the present invention, an electrode part and a resistor part are formed in different layers to thus allow a unit resistor of the resistor part and a connection wire to be installed in the overall area of the wafer without the hindrance of the electrode part. Therefore, the present invention enables temperature uniformity with respect to the overall area of the wafer to be grasped in detail.
(FR) La présente invention concerne un capteur en galette pour mesure de température caractérisé en ce qu'une rainure d'enfouissement, dans laquelle est enfouie une partie de mesure de température, est formée sur une galette et la partie de mesure de température est enfouie dans la rainure d'enfouissement. La partie de mesure de température peut être formée de manière à être suffisamment épaisse et peut donc être fabriquée de manière à présenter une propriété de masse, de façon à permettre au capteur en galette d'être stable même à une température élevée. En outre, selon la présente invention, une partie d'électrode et une partie de résistance sont formées dans des couches différentes pour permettre ainsi à une résistance unitaire de la partie de résistance et à un fil de connexion d'être installés dans l'étendue globale de la galette sans être gênés par la partie d'électrode. Par conséquent, la présente invention permet de saisir en détail l'uniformité de la température par rapport à l'étendue globale de la galette.
(KO) 본 발명에 따른 온도측정 웨이퍼 센서는, 웨이퍼 상에 온도측정부가 매립되는 매립홈이 형성되어 있고 온도측정부는 상기 매립홈에 매립되어 있는 것을 특징으로 해서, 온도측정부를 충분히 두껍게 형성할 수 있기 때문에 상기 온도측정부가 벌크 성질을 갖도록 제조할 수 있고, 이를 통해서 고온에서도 안정한 효과를 갖는다. 또한, 본 발명에 의하면, 전극부와 저항부가 서로 다른 층에 형성되기 때문에 저항부의 단위저항과 연결배선을 전극부의 방해를 받지 않고 웨이퍼의 전면적에 설치할 수 있다. 따라서 웨이퍼의 전면적에 대해서 온도 균일도를 세밀하게 파악할 수 있게 된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)