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1. (WO2017200107) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM COMPRENANT UN MÉTAL AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
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N° de publication :    WO/2017/200107    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/018939
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 19.05.2017
CIB :
C09D 201/00 (2006.01), C09D 5/25 (2006.01), C09D 7/12 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : MITSUI CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 5-2, Higashi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1057122 (JP)
Inventeurs : KAYABA, Yasuhisa; (JP).
ONO, Shoko; (JP).
TANAKA, Hirofumi; (JP)
Mandataire : NAKAJIMA, Jun; (JP).
KATO, Kazuyoshi; (JP).
FUKUDA, Koji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-100774 19.05.2016 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING METAL-CONTAINING FILM, METHOD OF PRODUCING COMPOSITION FOR FORMING METAL-CONTAINING FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM COMPRENANT UN MÉTAL AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 金属含有膜形成用組成物、金属含有膜形成用組成物の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A composition for forming a metal-containing film, the composition containing: (A) at least one compound selected from the group consisting of (a1) a compound comprising a cationic functional group containing a primary nitrogen atom and/or a secondary nitrogen atom, and (a2) a nitrogen-atom-containing compound other than compound (a1); and (B) at least one compound selected from the group consisting of (b1) a compound comprising a carboxy group and at least one of a germanium atom, a tin atom, a selenium atom, and a zirconium atom, and an ester of compound (b1).
(FR)L’invention concerne une composition pour formation de film comprenant un métal qui contient : un composé (A) qui consiste en au moins une sorte de composé choisie dans un groupe constitué d’un composé (a1) possédant un groupe fonctionnel cationique incluant un atome d’azote primaire et/ou un atome d’azote secondaire, et d’un composé (a2) possédant un atome d’azote autre que ceux dudit composé (a1) ; et un composé (B) qui consiste en au moins un élément choisi dans un groupe constitué d’un composé (b1) possédant au moins un atome parmi un atome de germanium, un atome d’étain, un atome de sélénium et un atome de zirconium, et un groupe carboxy, et d’un ester dudit composé (b1).
(JA)1級窒素原子及び2級窒素原子の少なくとも1つを含むカチオン性官能基を有する化合物(a1)、並びに、前記化合物(a1)以外の窒素原子を有する化合物(a2)からなる群より選択される少なくとも1種である化合物(A)と、 ゲルマニウム原子、スズ原子、セレン原子、及びジルコニウム原子の少なくとも1つとカルボキシ基とを有する化合物(b1)、並びに、前記化合物(b1)のエステルからなる群より選択される少なくとも1種である化合物(B)と、 を含む金属含有膜形成用組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)