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1. (WO2017200035) PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE DE CDTE
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N° de publication :    WO/2017/200035    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/018627
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 18.05.2017
CIB :
H01L 21/365 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1838538 (JP)
Inventeurs : ISO, Kenji; (JP).
KOUKITU, Akinori; (JP).
MURAKAMI, Hisashi; (JP)
Mandataire : KAWAGUCHI, Yoshiyuki; (JP).
TAKATA, Daisuke; (JP).
SANUKI, Shinichi; (JP).
NIWA, Takeshi; (JP).
SHIMODA, Toshiaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-099982 18.05.2016 JP
2017-014647 30.01.2017 JP
Titre (EN) CDTE EPITAXIAL GROWTH METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE DE CDTE
(JA) CdTeのエピタキシャル成長方法
Abrégé : front page image
(EN)The primary objective of the present invention is to provide a novel method for epitaxially growing CdTe on a single-crystal Si substrate. Another objective of the present invention is to provide a novel method for epitaxially growing CdTe on a single-crystal CdTe substrate. In order to achieve the abovementioned objectives, a method is provided for epitaxially growing CdTe on a single-crystal Si substrate or a single-crystal CdTe substrate, wherein the method has a growth step for depositing CdTe from a gas phase onto the surface of the single-crystal Si substrate or the single-crystal CdTe substrate using simple Cd and simple Te or an organic Te compound as the respective Cd source and Te source.
(FR)L'objectif principal de la présente invention est d'élaborer un nouveau procédé de croissance épitaxiale de CdTe sur un substrat en Si monocristallin. Un autre objectif de la présente invention est d'élaborer un nouveau procédé de croissance épitaxiale de CdTe sur un substrat en CdTe monocristallin. Afin d'atteindre les objectifs susmentionnés, un procédé est décrit pour la croissance épitaxiale de CdTe sur un substrat en Si monocristallin ou un substrat en CdTe monocristallin, le procédé comprenant une étape de croissance consistant à déposer du CdTe à partir d'une phase gazeuse sur la surface du substrat en Si monocristallin ou du substrat en CdTe monocristallin en utilisant du Cd élémentaire et du Te élémentaire ou un composé de Te organique comme source de Cd et source de Te respectives.
(JA)本発明は、単結晶Si基板上にCdTeをエピタキシャル成長させるための新規な方法を提供することを主たる目的とする。 また本発明は、単結晶CdTe基板上CdTeをエピタキシャル成長させるための新規な方法を提供することを別の目的とする。 上記目的を達成するため、単結晶Si基板上または単結晶CdTe基板上にCdTeをエピタキシャル成長させる方法であって、単体Cdと単体Te又は有機Te化合物をそれぞれCd源およびTe源に用いて、該単結晶Si基板または単結晶CdTe基板の表面上にCdTeを気相から堆積させる成長ステップ、を有する方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)