Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017199728) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER

Pub. No.:    WO/2017/199728    International Application No.:    PCT/JP2017/016834
Publication Date: 23 nov. 2017 International Filing Date: 27 avr. 2017
IPC: G03F 9/00
G01B 11/00
G03F 1/00
G03F 1/42
G03F 7/20
Applicants: TOWERJAZZ PANASONIC SEMICONDUCTOR CO., LTD.
パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社
Inventors: OGAWA Takahisa
小川 貴久
FUKURA Mitsunori
福羅 満徳
TAKAHASHI Nobuyoshi
高橋 信義
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comporte : des première et seconde régions de marque d'inspection (51a, 51b) ayant les mêmes motifs, dont chacune comprend une pluralité de marques d'inspection de superposition (61a, 61b) ; une première région d'élément (52) ayant une partie qui chevauche la première région de marque d'inspection (51a) ; et une seconde région d'élément (53) ayant une partie qui chevauche la seconde région de marque d'inspection (51b). Les première et seconde régions d'élément (52, 53) sont adjacentes l'une par rapport à l'autre et comportent des zones différentes. La première région d'élément (52) présente un premier motif aligné avec les premières marques d'inspection de superposition (61a). La seconde région d'élément (53) présente un second motif aligné avec les secondes marques d'inspection de superposition (61b).