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1. (WO2017199728) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
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N° de publication : WO/2017/199728 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/016834
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 27.04.2017
CIB :
G03F 9/00 (2006.01) ,G01B 11/00 (2006.01) ,G03F 1/00 (2012.01) ,G03F 1/42 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : TOWERJAZZ PANASONIC SEMICONDUCTOR CO., LTD.[JP/JP]; 800 Higashiyama, Uozu City, Toyama 9378585, JP
Inventeurs : OGAWA Takahisa; JP
FUKURA Mitsunori; JP
TAKAHASHI Nobuyoshi; JP
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
Données relatives à la priorité :
2016-09921818.05.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) This semiconductor device is provided with: first and second inspection mark regions (51a, 51b) having same patterns, each of which includes a plurality of superposition inspection marks (61a, 61b); a first element region (52) having a part that overlaps the first inspection mark region (51a); and a second element region (53) having a part that overlaps the second inspection mark region (51b). The first and second element regions (52, 53) are adjacent to each other and have different areas. The first element region (52) has a first pattern aligned with the first superposition inspection marks (61a). The second element region (53) has a second pattern aligned with the second superposition inspection marks (61b).
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comporte : des première et seconde régions de marque d'inspection (51a, 51b) ayant les mêmes motifs, dont chacune comprend une pluralité de marques d'inspection de superposition (61a, 61b) ; une première région d'élément (52) ayant une partie qui chevauche la première région de marque d'inspection (51a) ; et une seconde région d'élément (53) ayant une partie qui chevauche la seconde région de marque d'inspection (51b). Les première et seconde régions d'élément (52, 53) sont adjacentes l'une par rapport à l'autre et comportent des zones différentes. La première région d'élément (52) présente un premier motif aligné avec les premières marques d'inspection de superposition (61a). La seconde région d'élément (53) présente un second motif aligné avec les secondes marques d'inspection de superposition (61b).
(JA) 半導体装置は、複数の重ね合わせ検査マーク(61a、61b)を含む同一のパターンの第1、第2の検査マーク領域(51a、51b)と、第1の検査マーク領域(51a)と重複する部分を有する第1の素子領域(52)と、第2の検査マーク領域(51b)と重複する部分を有する第2の素子領域(53)とを備える。第1、第2の素子領域(52、53)は、隣接し且つ異なる面積を有する。第1の素子領域(52)は、複数の第1の重ね合わせ検査マーク(61a)に位置合わせされた第1のパターンを有する。第2の素子領域(53)は、複数の第2の重ね合わせ検査マーク(61b)に位置合わせされた第2のパターンを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)