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1. (WO2017199501) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE
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N° de publication : WO/2017/199501 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006257
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 21.02.2017
CIB :
H01L 31/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
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caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
Déposants : SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs : MASUI, Yuji; JP
KANEKO, Shingo; JP
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2016-09779916.05.2016JP
Titre (EN) LIGHT RECEIVING ELEMENT, OPTICAL COMMUNICATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT RECEIVING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF DE COMMUNICATION OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE
(JA) 受光素子、光通信装置、および受光素子の製造方法
Abrégé :
(EN) A light receiving element (1) according to an embodiment of the present disclosure is provided with a semiconductor layer (20) in which a PIN structure photodiode comprising a first conductivity type layer (21), a light absorption layer (23), and a second conductivity type layer (24) with a light incident surface is formed in a columnar mesa portion. In the light receiving element (1), the semiconductor layer (20) includes, in the first conductivity type layer (21) in the vicinity of an interface between the first conductivity type layer (21) and the light absorption layer (23) , a constricted portion (26) that is the most constricted portion of the first conductivity type layer (21). An edge of the interface is exposed on an inner surface of the constricted portion (26).
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un élément récepteur de lumière (1) qui comporte une couche semi-conductrice (20) dans laquelle une photodiode à structure PIN comprenant une couche d’un premier type de conductivité (21), une couche d’absorption de lumière (23), et une couche d’un deuxième type de conductivité (24) comportant une surface incidente à la lumière est formée dans une partie de mesa en colonne. Dans l’élément récepteur de lumière (1), la couche semi-conductrice (20) inclut, dans la couche du premier type de conductivité (21) au voisinage d’une interface entre la couche du premier type de conductivité (21) et la couche d’absorption de lumière (23), une partie étranglée (26) qui est la partie la plus étranglée de la couche du premier type de conductivité (21). Un bord de l’interface est découvert sur une surface intérieure de la partie étranglée (26).
(JA) 本開示の一実施の形態の受光素子(1)は、第1導電型層(21)と、光吸収層(23)と、光入射面を有する第2導電型層(24)とを含むPIN構造のフォトダイオードが柱状のメサ部内に形成された半導体層(20)を備えている。受光素子(1)において、半導体層(20)は、第1導電型層(21)のうち、当該第1導電型層(21)と光吸収層(23)との界面近傍で最も括れた括れ部(26)を有している。この括れ部(26)の内面には、上記の界面の端縁が露出している。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)