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1. (WO2017198795) NOUVEAU MATERIAU COMPOSITE ENRICHI EN SILICIUM, SON PROCEDE DE FABRICATION ET SON UTILISATION A TITRE D'ELECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/198795    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/062046
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 18.05.2017
CIB :
C22C 30/00 (2006.01), C22C 13/00 (2006.01), C22C 14/00 (2006.01), C22C 19/03 (2006.01), H01M 4/134 (2010.01), H01M 4/1395 (2010.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL D'ETUDES SPATIALES [FR/FR]; 2, place Maurice Quentin 75001 PARIS (FR).
SAFT [FR/FR]; 12, rue Sadi Carbot 93170 BAGNOLET (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 PARIS (FR).
UNIVERSITÉ DE MONTPELLIER [FR/FR]; 163, rue Auguste Broussonnet 34090 MONTPELLIER (FR)
Inventeurs : JORDY, Christian; (FR).
FISCHER, Florent; (FR).
CUEVAS, Fermin; (FR).
LADAM, Alix; (FR).
ALDON, Laurent; (FR).
LIPPENS, Pierre-Emmanuel; (FR).
BIBENT, Nicolas; (FR).
OLIVIER-FOURCADE, Josette; (FR).
JUMAS, Jean-Claude; (FR)
Mandataire : BLOT, Philippe; (FR).
DOMENEGO, Bertrand; (FR).
HABASQUE, Etienne; (FR).
COLOMBIE, Damien; (FR).
HOLTZ, Béatrice; (FR).
NEYRET, Daniel; (FR)
Données relatives à la priorité :
1654484 19.05.2016 FR
Titre (EN) NOVEL SILICON-ENRICHED COMPOSITE MATERIAL, PRODUCTION METHOD THEREOF AND USE OF SAID MATERIAL AS AN ELECTRODE
(FR) NOUVEAU MATERIAU COMPOSITE ENRICHI EN SILICIUM, SON PROCEDE DE FABRICATION ET SON UTILISATION A TITRE D'ELECTRODE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to novel composite materials enriched with silicon dispersed in matrices comprising Ni, Ti and Si and/or Sn, optionally passivated. The invention also relates to the method for producing said materials and to the use of same as electrodes. The invention further relates to the aforementioned matrices and the synthesis thereof.
(FR)La présente invention concerne de nouveaux matériaux composites enrichis en silicium dispersé dans des matrices à base de Ni, Ti et Si et/ou Sn, éventuellement passivés, leur procédé de préparation et leur utilisation à titre d'électrode. L'invention concerne également les dites matrices et leur synthèse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)