WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017197758) STRUCTURE DE DISPOSITIF LDMOS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/197758    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/091817
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 27.07.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KUNSHAN HUATAI ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 188, Xiuhai Road Zhouzhuang Town Kunshan Suzhou, Jiangsu 215300 (CN)
Inventeurs : PENG, Hu; (CN).
ZHANG, Yaohui; (CN).
MO, Haifeng; (CN)
Mandataire : NANJING ZONGHENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 3th floor of Innovation Square No. 9 Gaoxin Road High-Tech Zone Pukou Nanjing, Jiangsu 210032 (CN)
Données relatives à la priorité :
2016103256216 17.05.2016 CN
Titre (EN) LDMOS DEVICE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE DISPOSITIF LDMOS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种LDMOS器件结构及制作方法
Abrégé : front page image
(EN)An LDMOS device structure comprises a metal connection layer (41) connecting a source (24) of an LDMOS device from a surface to a substrate (11). A channel of the LDMOS device is a concentration gradient channel. Further disclosed is a manufacturing method of the device structure. After polysilicon etching, a dielectric layer (34') having a high step coverage is deposited and is used as an injection barrier layer, thereby resolving an issue of photoetching alignment precision and enabling self-aligned injection of a gate length below 0.25 um. In addition, the metal connection layer is used to connect the source from the surface to the substrate, and a metal connection layer process is performed after the device is formed, so that a gate length below 0.25 um can be achieved, and both manufacturing yield and uniformity can be ensured.
(FR)La présente invention concerne une structure de dispositif LDMOS qui comprend une couche de connexion métallique (41) reliant une source (24) d'un dispositif LDMOS d'une surface à un substrat (11). Un canal du dispositif LDMOS est un canal à gradient de concentration. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication de la structure de dispositif. Après gravure de polysilicium, une couche diélectrique (34') ayant une couverture à gradin haut est déposée et est utilisée en tant que couche de barrière contre l'injection, de façon à résoudre un problème de précision d'alignement de photogravure et permettre une injection auto-alignée d'une longueur de grille inférieure à 0,25 µm. De plus, la couche de connexion métallique est utilisée pour connecter la source de la surface au substrat, et un processus de couche de connexion métallique est effectué une fois que le dispositif est formé, de sorte qu'une longueur de grille inférieure à 0,25 µm puisse être obtenue, et un rendement et une uniformité de fabrication puissent tous deux être assurés.
(ZH)一种LDMOS器件结构,包括金属连接层(41),金属连接层将LDMOS器件源极(24)从表面连接至衬底(11),LDMOS器件的沟道为浓度渐变沟道。同时也公开了该器件结构的制作方法。采用多晶硅刻蚀后淀积一层台阶覆盖率高的介质层(34`)作为注入阻挡层,解决了光刻对位精度问题,可以实现0.25um以下栅长的自对准注入;同时采用金属连接层将源极从表面连接至衬底,金属连接层工艺在器件形成后进行,从而可以实现0.25um以下的栅长,制造良率和均匀性都可以得到保障。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)