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1. (WO2017196835) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE SCHOTTKY À HÉTÉROJONCTION
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N° de publication :    WO/2017/196835    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/031742
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 09.05.2017
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 31/101 (2006.01)
Déposants : QATAR UNIVERSITY [QA/QA]; Office of Academic Research P.O. Box 2713 Doha (QA).
TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM [US/US]; 3369 TAMU College Station, Texas 77843-3369 (US)
Inventeurs : RATCHA, Aditya Chandra Sai; (US).
VERMA, Amit; (US).
NEKOVEI, Reza; (US).
KHADER, Mahmoud M.; (QA)
Mandataire : ADAMS, Christopher; (US).
CHAO, Aborn; (US).
KOLO, Lacy; (US)
Données relatives à la priorité :
15/149,979 09.05.2016 US
Titre (EN) HETEROJUNCTION SCHOTTKY GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE SCHOTTKY À HÉTÉROJONCTION
Abrégé : front page image
(EN)Certain embodiments of the present invention may be directed to a transistor structure. The transistor structure may include a semiconductor substrate. The semiconductor substrate may include a drift region, a collector region, an emitter region, and a lightly-doped/undoped region. The lightly-doped/undoped region may be lightly-doped and/or undoped. The transistor structure may also include a heterostructure. The heterostructure forms a heterojunction with the lightly-doped/undoped region. The transistor structure may also include a collector terminal. The collector terminal is in contact with the collector region. The transistor structure may also include a gate terminal. The gate terminal is in contact with the heterostructure. The transistor structure may also include an emitter terminal. The emitter terminal is in contact with the lightly-doped/undoped region and the emitter region.
(FR)Selon certains modes de réalisation, la présente invention peut concerner une structure de transistor. La structure de transistor peut comprendre un substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur peut comprendre une zone de migration, une zone de collecteur, une zone d'émetteur et une zone faiblement dopée/non dopée. La zone faiblement dopée/non dopée peut être faiblement dopée et/ou non dopée. La structure de transistor peut également comprendre une hétérostructure. L'hétérostructure forme une hétérojonction avec la zone faiblement dopée/non dopée. La structure de transistor peut également comprendre une borne de collecteur. La borne de collecteur est en contact avec la zone de collecteur. La structure de transistor peut également comprendre une borne de grille. La borne de grille est en contact avec l'hétérostructure. La structure de transistor peut également comprendre une borne d'émetteur. La borne d'émetteur est en contact avec la zone faiblement dopée/non dopée et la zone d'émetteur..
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)