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1. (WO2017196740) TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE (HEMT)
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N° de publication :    WO/2017/196740    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/031581
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 08.05.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01)
Déposants : RFHIC CORPORATION [US/US]; 920 Morrisville Pkwy Morrisville, North Carolina 27560 (US)
Inventeurs : LEE, Won Sang; (US)
Mandataire : PARK, Chung Sik; (US)
Données relatives à la priorité :
62/334,837 11.05.2016 US
15/588,650 07.05.2017 US
Titre (EN) HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)
(FR) TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE (HEMT)
Abrégé : front page image
(EN)HEMT having a drain field plate (140) is provided. The drain field plate (140) is formed in the area between the gate (118) and drain (104) of a HEMT. The drain field plate (140) includes a metal pad (140) that has a larger projection area than the drain pad (104). The drain field plate (140) and semiconductor layer (102) disposed beneath the drain field plate form a metal-semiconductor (M-S) Schottky structure. The capacitance of the M-S Schottky structure generates capacitance in the semiconductor area (102), which increases the breakdown voltage of the transistor components of the HEMT. A portion of the substrate (100) under the active area (203) may be removed to thereby increase the heat conductivity and reduce the junction temperature of the transistor components of the HEMT.
(FR)L'invention concerne un HEMT comportant une plaque de champ de drain (140). La plaque de champ de drain (140) est formée dans la zone entre la grille (118) et le drain (104) d'un HEMT. La plaque de champ de drain (140) comprend une pastille métallique (140) qui a une surface de projection plus grande que la pastille de drain (104). La plaque de champ de drain (140) et la couche semi-conductrice (102) disposée sous la plaque de champ de drain forment une structure de Schottky métal-semi-conducteur (M-S). La capacité de la structure de Schottky M-S génère une capacité dans la zone semi-conductrice (102), ce qui augmente la tension de claquage des composants de transistor du HEMT. Une partie du substrat (100) sous la zone active (203) peut être éliminée afin d'augmenter la conductivité thermique et de réduire la température de jonction des composants de transistor du HEMT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)