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PATENTSCOPE

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1. (WO2017196628) PHOTODÉTECTEURS À EFFET TUNNEL SUR GRAPHÈNE POUR UNE UTILISATION EN FOND DE TROU À HAUTE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/196628 N° de la demande internationale : PCT/US2017/030994
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 04.05.2017
CIB :
G01N 21/17 (2006.01) ,G01N 1/22 (2006.01) ,G01J 1/44 (2006.01)
Déposants : BAKER HUGHES INCORPORATED[US/US]; 17021 Aldine Westfield Houston, Texas 77073, US
Inventeurs : DIFOGGIO, Rocco; US
Données relatives à la priorité :
15/150,80810.05.2016US
Titre (EN) GRAPHENE TUNNELING PHOTODETECTORS FOR HIGH-TEMPERATURE DOWNHOLE USE
(FR) PHOTODÉTECTEURS À EFFET TUNNEL SUR GRAPHÈNE POUR UNE UTILISATION EN FOND DE TROU À HAUTE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN) Methods and systems including a photodetector of a downhole tool for performing downhole operations are provided herein. The photodetector includes a housing configured along a carrier disposed downhole within a borehole and a graphene tunneling photodetector located within the housing configured to perform a downhole operation.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes comprenant un photodétecteur d'un outil de fond de trou pour effectuer des opérations de fond de trou. Le photodétecteur comprend un boîtier configuré le long d'un support disposé en fond de trou à l'intérieur d'un trou de forage et un photodétecteur à effet tunnel sur graphène situé à l'intérieur du boîtier et configuré pour effectuer une opération de fond de trou.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)