WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE sera indisponible quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 18.08.2018 à 09:00 CEST
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017196010) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE DE NÉGATIVE CHIMIQUEMENT AMPLIFIÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/196010 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/004451
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 26.04.2017
CIB :
G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01)
Déposants : YOUNG CHANG CHEMICAL CO., LTD[KR/KR]; 365-12, 174-12, Yuseori-gil, Seonnam-myeon Seongju-gun Gyeongsangbuk-do 40046, KR
Inventeurs : LEE, Seung Hun; KR
LEE, Seung Hyun; KR
LEE, Su Jin; KR
CHOI, Young Cheol; KR
Mandataire : HAEDAM IP GROUP; 1601-ho, Songchon Bldg., 503, Nonhyeon-ro Gangnam-gu Seoul 06132, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-005874413.05.2016KR
Titre (EN) CHEMICALLY-AMPLIFIED-TYPE NEGATIVE-TYPE PHOTORESIST COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE DE NÉGATIVE CHIMIQUEMENT AMPLIFIÉE
(KO) 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트 조성물
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to a chemically-amplified-type negative photoresist composition and, more particularly, to a chemically-amplified-type negative photoresist composition suitable for an application to a semiconductor process, which comprises a specific organic acid additive, thereby improving a process margin in a short-wavelength exposure source compared to conventional negative-type photoresists.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine photosensible négative chimiquement amplifiée et, plus particulièrement, une composition de résine photosensible négative chimiquement amplifiée appropriée pour une application à un procédé semi-conducteur, qui comprend un additif d'acide organique spécifique, ce qui permet d'améliorer une marge de traitement dans une source d'exposition à courte longueur d'onde par rapport aux résines photosensibles négatives classiques.
(KO) 본 발명은 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정 유기산 첨가물을 포함하여 종래 네가티브형 포토레지스트 대비 단파장 노광원에서 공정 마진을 개선하여, 반도체 공정에 적용하기에 적합한 화학증폭형 네가티브 포토레지스트 조성물을 개시한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)