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1. (WO2017195446) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, CIRCUIT FRONTAL À HAUTE FRÉQUENCE, ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
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N° de publication :    WO/2017/195446    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/008839
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 06.03.2017
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/64 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01), H04B 1/18 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : SAJI, Mari; (JP).
YASUDA, Junpei; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-097006 13.05.2016 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, CIRCUIT FRONTAL À HAUTE FRÉQUENCE, ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an acoustic wave device with which it is possible to obtain satisfactory filter characteristics using Rayleigh waves in a filter having a passband on a relatively low side, while suppressing degradation of the filter characteristics of a filter having a passband on the high side. A first filter 3 and a second filter 4 each including an acoustic wave resonator are connected to an antenna common terminal 2 via a common connecting point 6. F1< F2, where F1 and F2 are first and second passbands of the first and second filters 3, 4 respectively. The first filter 3 includes at least one acoustic wave resonator. The acoustic wave resonator employs Rayleigh waves propagating through LiNbO3, includes an IDT electrode which contains a Pt film and is disposed on a piezoelectric layer comprising LiNbO3, and is provided with a silicon oxide film covering the IDT electrode. The thickness of the silicon oxide film is at most equal to 33% of the wavelength λ of the IDT electrode.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à ondes acoustiques avec lequel il est possible d'obtenir des caractéristiques de filtre satisfaisantes à l'aide d'ondes de Rayleigh dans un filtre ayant une bande passante sur un côté relativement bas, tout en supprimant la dégradation des caractéristiques de filtre d'un filtre ayant une bande passante sur le côté haut. Un premier filtre 3 et un second filtre 4 comprenant chacun un résonateur à ondes acoustiques sont connectés à une borne commune d'antenne 2 par l'intermédiaire d'un point de connexion commun 6. F1 < F2, où F1 et F2 sont respectivement des première et seconde bandes passantes des premier et second filtres 3, 4. Le premier filtre 3 comprend au moins un résonateur à ondes acoustiques. Le résonateur à ondes acoustiques utilise des ondes de Rayleigh se propageant à travers le LiNbO3, comprend une électrode IDT qui contient un film de Pt et est disposée sur une couche piézoélectrique comprenant du LiNbO3, et est pourvu d'un film d'oxyde de silicium recouvrant l'électrode IDT. L'épaisseur du film d'oxyde de silicium est tout au plus égale à 33 % de la longueur d'onde λ de l'électrode IDT.
(JA)通過帯域が高い側のフィルタのフィルタ特性の劣化を抑制しつつ、通過帯域が相対的に低い側のフィルタにおいてレイリー波を利用した良好なフィルタ特性を得ることができる、弾性波装置を提供する。 弾性波共振子を含む第1のフィルタ3と、第2のフィルタ4とがアンテナ共通端子2に共通接続点6を介して接続されており、第1,第2のフィルタ3,4の第1,第2の通過帯域を、それぞれF1,F2としたときに、F1<F2であり、第1のフィルタ3が、少なくとも1つの弾性波共振子を有し、該弾性波共振子が、LiNbOを伝搬するレイリー波を利用しており、LiNbOからなる圧電体層上に、Pt膜を含むIDT電極を有し、IDT電極を覆っている酸化ケイ素膜が設けられている。酸化ケイ素膜の厚みは、IDT電極の波長λの33%以下とされている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)