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1. (WO2017194845) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UNE PLURALITÉ DE DIODES AU NITRURE DE GALLIUM
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N° de publication : WO/2017/194845 N° de la demande internationale : PCT/FR2016/051140
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 13.05.2016
CIB :
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 31/00 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/42 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D - 25, Rue Leblanc 75015 Paris, FR
THALES[FR/FR]; Tour Carpe Diem Place des Corolles Esplanade Nord 92400 Courbevoie, FR
Inventeurs : TEMPLIER, François; FR
BENAISSA, Lamine; FR
RABAROT, Marc; FR
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 4, Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1, FR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A PLURALITY OF GALLIUM NITRIDE DIODES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UNE PLURALITÉ DE DIODES AU NITRURE DE GALLIUM
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic device, comprising the following sequence of steps: a) applying, on one face of an integrated control circuit (110) comprising a plurality of metallic connection pads (113), an active diode stack (150) comprising at least first (153) and second (157) semiconducting layers doped for opposite conductivity types, in such a way that the second layer (157) of the stack is electrically connected to the metal pads (113) of the control circuit (110); and b) forming, in the active stack (150), slices (170) delimiting a plurality of diodes (172) connected to distinct metal pads (113) of the control circuit (110).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comportant les étapes successives suivantes : a) rapporter, sur une face d'un circuit intégré de contrôle (110) comportant une pluralité de plots métalliques (113) de connexion, un empilement actif (150) de diode comportant au moins des première (153) et deuxième (157) couches semi- conductrices dopées de types de conductivité opposés, de façon que la deuxième couche (157) de l'empilement soit électriquement connectée aux plots métalliques (113) du circuit de contrôle (110); et b) former dans l'empilement actif (150) des tranchées (170) délimitant une pluralité de diodes (172) connectées à des plots métalliques (113) distincts du circuit de contrôle (110).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)