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1. (WO2017193667) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
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N° de publication :    WO/2017/193667    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/074772
Date de publication : 16.11.2017 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 21/77 (2017.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd. Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : BAI, Jinchao; (CN).
GUO, Huibin; (CN).
HONG, Young Tae; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610311349.6 11.05.2016 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor and a manufacturing method therefor, an array substrate and a manufacturing method therefor, and a display apparatus. The thin film transistor (100) comprises an active layer (110), an amorphous silicon connection layer (120) and a source-drain electrode layer (130). The active layer (110) has a channel region (113), a source region (111) and a drain region (112). The composite material of the channel region (113) comprises polysilicon. The amorphous silicon connection layer (120) is located at one side of the active layer (110), and comprises a first connection part (121) and a second connection part (122) which are arranged at intervals to each other. The source-drain electrode layer (130) comprises a source (131) and a drain (132) which are arranged at intervals to each other. The source (131) is electrically connected to the source region (111) via the first connection part (121), and the drain (132) is electrically connected to the drain region (112) via the second connection part (122). The manufacturing process for a polycrystalline silicon thin film transistor can be simplified.
(FR)La présente invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat matriciel et son procédé de fabrication, et un appareil d'affichage. Le transistor à couches minces (100) comprend une couche active (110), une couche de connexion en silicium amorphe (120) et une couche d'électrodes de source-drain (130). La couche active (110) comporte une zone de canal (113), une zone de source (111) et une zone de drain (112). Le matériau composite de la zone de canal (113) comprend du polysilicium. La couche de connexion en silicium amorphe (120) est située d'un côté de la couche active (110), et comprend une première partie de connexion (121) et une seconde partie de connexion (122) qui sont disposées à intervalles l'une de l'autre. La couche d'électrodes de source-drain (130) comprend une source (131) et un drain (132) qui sont disposés à intervalles l'un de l'autre. La source (131) est électriquement connectée à la zone de source (111) par l'intermédiaire de la première partie de connexion (121), et le drain (132) est électriquement connecté à la zone de drain (112) par l'intermédiaire de la seconde partie de connexion (122). Le processus de fabrication d'un transistor à couches minces au silicium polycristallin peut être simplifié.
(ZH)一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置,薄膜晶体管(100)包括有源层(110)、非晶硅连接层(120)和源漏电极层(130)。有源层(110)具有沟道区(113)、源极区(111)和漏极区(112),沟道区(113)的形成材料包括多晶硅;非晶硅连接层(120)位于有源层(110)的一侧,并且包括彼此间隔设置的第一连接部(121)和第二连接部(122);源漏电极层(130)包括彼此间隔设置的源极(131)和漏极(132),源极(131)通过第一连接部(121)与源极区(111)电连接,漏极(132)通过第二连接部(122)与漏极区(112)电连接。可以简化多晶硅薄膜晶体管的制作工艺。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)