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1. (WO2017192899) MATRICE BIDIMENSIONNELLE D'ÉLÉMENTS DE COMMANDE CMOS
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N° de publication :    WO/2017/192899    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/031134
Date de publication : 09.11.2017 Date de dépôt international : 04.05.2017
CIB :
H01L 41/047 (2006.01), B06B 1/06 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), B06B 1/02 (2006.01), G06K 9/00 (2006.01), H01L 27/20 (2006.01), H03H 3/007 (2006.01)
Déposants : INVENSENSE, INC. [US/US]; 1745 Technology Drive, Suite 200 San Jose, California 95110 (US)
Inventeurs : SALVIA, James Christian; (US).
PERROTT, Michael H.; (US).
VOROS, Marian; (US).
NG, Eldwin; (SG).
TSAI, Julius Ming-Lin; (US).
APTE, Nikhil; (US)
Mandataire : BLECHER, Matthew J.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/331,919 04.05.2016 US
62/334,394 10.05.2016 US
15/205,743 08.07.2016 US
15/294,130 14.10.2016 US
15/294,186 14.10.2016 US
Titre (EN) A TWO-DIMENSIONAL ARRAY OF CMOS CONTROL ELEMENTS
(FR) MATRICE BIDIMENSIONNELLE D'ÉLÉMENTS DE COMMANDE CMOS
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device includes a plurality of CMOS control elements arranged in a two-dimensional array, where each CMOS control element of the plurality of CMOS control elements includes two semiconductor devices. The plurality of CMOS control elements include a first subset of CMOS control elements, each CMOS control element of the first subset of CMOS control elements including a semiconductor device of a first class and a semiconductor device of a second class, and a second subset of CMOS control elements, each CMOS control element of the second subset of CMOS control elements including a semiconductor device of the first class and a semiconductor device of a third class. The plurality of CMOS control elements are arranged in the two-dimensional array such that CMOS semiconductor devices of a class are only adjacent to other CMOS semiconductor devices of the same class.
(FR)L'invention concerne un dispositif électronique qui comprend une pluralité d'éléments de commande CMOS agencés en une matrice bidimensionnelle, chaque élément de commande CMOS de la pluralité d'éléments de commande CMOS comprenant deux dispositifs à semi-conducteur. La pluralité d'éléments de commande CMOS comprend un premier sous-ensemble d'éléments de commande CMOS, chaque élément de commande CMOS du premier sous-ensemble d'éléments de commande CMOS comprenant un dispositif à semi-conducteur d'une première classe et un dispositif à semi-conducteur d'une deuxième classe, et un second sous-ensemble d'éléments de commande CMOS, chaque élément de commande CMOS du second sous-ensemble d'éléments de commande CMOS comprenant un dispositif à semi-conducteur de la première classe et un dispositif à semi-conducteur d'une troisième classe. La pluralité d'éléments de commande CMOS sont agencés dans la matrice bidimensionnelle de manière que les dispositifs à semi-conducteur CMOS d'une classe sont adjacents seulement à d'autres dispositifs à semi-conducteur CMOS de la même classe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)