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1. (WO2017192718) LASER À SEMI-CONDUCTEUR INCORPORANT UNE BARRIÈRE D'ÉLECTRONS À FAIBLE TENEUR EN ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/192718    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/030835
Date de publication : 09.11.2017 Date de dépôt international : 03.05.2017
CIB :
H01S 5/343 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/227 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/US]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851 (US)
Inventeurs : CROWLEY, Mark; (US)
Mandataire : ANDERSON, Thomas, E.; (US).
ALLEN, Owen, K.; (US).
BARAZESH, Ellyar, Y.; (US).
BEVILACQUA, Michael, J.; (US).
CAVANAUGH, David, L.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/332,085 05.05.2016 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING AN ELECTRON BARRIER WITH LOW ALUMINUM CONTENT
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR INCORPORANT UNE BARRIÈRE D'ÉLECTRONS À FAIBLE TENEUR EN ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser may include a substrate, an active region, and an electron stopper layer. The electron stopper layer may include an aluminum gallium indium arsenide phosphide alloy. The aluminum gallium indium arsenide phosphide alloy may have an AlxGayIn(1-x-y) AszP(1-z) composition.
(FR)Un laser à semi-conducteur peut comprendre un substrat, une région active et une couche d'arrêt d'électrons. La couche d'arrêt d'électrons peut comprendre un alliage de phosphure d'aluminium-gallium-indium-arséniure. L'alliage de phosphure d'aluminium-gallium-indium-arséniure peut avoir une composition d'AlxGayIn(1-x-y) AszP(1-z).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)