WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017192411) MESURE DE POROSITÉ DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/192411    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/030309
Date de publication : 09.11.2017 Date de dépôt international : 29.04.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Inventeurs : KRISHNAN, Shankar; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M.N.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/330,751 02.05.2016 US
15/204,938 07.07.2016 US
62/441,887 03.01.2017 US
15/582,331 28.04.2017 US
Titre (EN) POROSITY MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) MESURE DE POROSITÉ DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for performing optical measurements of the porosity of geometric structures filled with a fill material by a capillary condensation process are presented herein. Measurements are performed while the structure under measurement is treated with a flow of purge gas that includes a controlled amount of vaporized fill material. A portion of the fill material condenses and fills openings in the structural features such as pores of a planar film, spaces between structural features, small volumes such as notches, trenches, slits, contact holes, etc. In one aspect, the desired degree of saturation of vaporized material in the gaseous flow is determined based on the maximum feature size to be filled. In another aspect, measurement data is collected when a structure is unfilled and when the structure is filled. The collected data is combined in a multi-target model based measurement to estimate values of porosity and critical dimensions.
(FR)La présente invention concerne des procédés et des systèmes permettant d'effectuer des mesures optiques de la porosité de structures géométriques remplies d'un matériau de remplissage par un processus de condensation capillaire. Des mesures sont effectuées tandis que la structure en cours de mesure est traitée avec un flux de gaz de purge qui comprend une quantité régulée de matériau de remplissage vaporisé. Une partie du matériau de remplissage se condense et remplit des ouvertures dans des éléments structuraux tels que des pores d'un film plan, des espaces entre des éléments structuraux, des petits volumes tels que des encoches, des tranchées, des fentes, des trous de contact, etc. Selon un aspect, le degré de saturation souhaité du matériau vaporisé dans le flux gazeux est déterminé sur la base de la taille d'élément maximale à remplir. Selon un autre aspect, des données de mesure sont collectées lorsqu'une structure n'est pas remplie et lorsque la structure est remplie. Les données collectées sont combinées dans une mesure à base de modèle multi-cibles pour estimer des valeurs de porosité et de dimensions critiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)