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1. (WO2017192249) PROCESSUS DE TRAITEMENT PAR PLASMA DESTINÉ À UNE AMÉLIORATION DE L'EFFICACITÉ DE NETTOYAGE DE CHAMBRE IN SITU DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR PLASMA
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N° de publication :    WO/2017/192249    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/027020
Date de publication : 09.11.2017 Date de dépôt international : 11.04.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : ZHANG, Lin; (US).
LU, Xuesong; (US).
LE, Andrew V.; (US).
OH, Jang Seok; (US).
HAN, Xinhai; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US).
TABOADA, Keith; (US)
Données relatives à la priorité :
15/145,750 03.05.2016 US
Titre (EN) PLASMA TREATMENT PROCESS FOR IN-SITU CHAMBER CLEANING EFFICIENCY ENHANCEMENT IN PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) PROCESSUS DE TRAITEMENT PAR PLASMA DESTINÉ À UNE AMÉLIORATION DE L'EFFICACITÉ DE NETTOYAGE DE CHAMBRE IN SITU DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the disclosure include methods for in-situ chamber cleaning efficiency enhancement process for a plasma processing chamber utilized for a semiconductor substrate fabrication process. In one embodiment, a method for performing a plasma treatment process after cleaning a plasma process includes performing a cleaning process in a plasma processing chamber in absent of a substrate disposed thereon, subsequently supplying a plasma treatment gas mixture including at least a hydrogen containing gas and/or an oxygen containing gas into the plasma processing chamber, applying a RF source power to the processing chamber to form a plasma from the plasma treatment gas mixture, and plasma treating an interior surface of the processing chamber.
(FR)Selon l'invention, des modes de réalisation concernent des procédés de processus d'amélioration de l'efficacité de nettoyage de chambre in situ d'une chambre de traitement par plasma utilisée en vue d'un processus de fabrication de substrat à semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation, un procédé permettant d'effectuer un processus de traitement par plasma après nettoyage d'un processus par plasma consiste à effectuer un processus de nettoyage dans une chambre de traitement par plasma en l'absence d'un substrat disposé sur cette dernière, puis à fournir un mélange de gaz de traitement par plasma comprenant au moins un gaz hydrogéné et/ou un gaz oxygéné dans la chambre de traitement par plasma, à appliquer une énergie de source RF à la chambre de traitement de façon à former un plasma à partir du mélange de gaz de traitement par plasma, et à traiter par plasma une surface intérieure de la chambre de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)