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1. (WO2017192159) INHIBITION DE PROGRAMME DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
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N° de publication :    WO/2017/192159    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/044149
Date de publication : 09.11.2017 Date de dépôt international : 27.07.2016
CIB :
G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way MS 525 Boise, Idaho 83716 (US)
Inventeurs : LUTHRA, Yogesh; (US).
CHAN, Kim-Fung; (US).
GUO, Xiaojiang; (US)
Mandataire : MYRUM, Tod A.; (US).
LEFFERT, Thomas W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/145,204 03.05.2016 US
Titre (EN) PROGRAM INHIBITING IN MEMORY DEVICES
(FR) INHIBITION DE PROGRAMME DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)In an example, a method may include increasing a voltage applied to an unprogrammed first memory cell in a string of series-connected memory cells from a first voltage to a second voltage while a voltage applied to second memory cells in the string of series-connected memory cells is at the first voltage and increasing the voltage applied to the second memory cells from the first voltage to a pass voltage concurrently with increasing the voltage applied to the unprogrammed first memory cell from the second voltage to a program voltage.
(FR)Dans un exemple, un procédé peut consister à augmenter une tension appliquée à une première cellule de mémoire non programmée dans une chaîne de cellules de mémoire connectées en série d'une première tension à une seconde tension tandis qu'une tension appliquée à des secondes cellules de mémoire dans la chaîne de cellules de mémoire connectées en série est égale à la première tension et à augmenter la tension appliquée aux secondes cellules de mémoire de la première tension à une tension de passage simultanément à l'augmentation de la tension appliquée à la première cellule de mémoire non programmée de la seconde tension à une tension de programme.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)