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1. (WO2017189412) DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE (ALD) SPATIAL AMÉLIORÉ DE MÉTAUX PAR MÉLANGE RÉGULÉ DE PRÉCURSEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/189412    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/029085
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : CHAN, Kelvin; (US).
CHEN, Yihong; (US).
LEE, Jared Ahmad; (US).
GRIFFIN, Kevin; (US).
GANDIKOTA, Srinivas; (US).
YUDOVSKY, Joseph; (US).
SRIRAM, Mandyam; (US)
Mandataire : BLANKMAN, Jeffrey I.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/327,091 25.04.2016 US
Titre (EN) ENHANCED SPATIAL ALD OF METALS THROUGH CONTROLLED PRECURSOR MIXING
(FR) DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE (ALD) SPATIAL AMÉLIORÉ DE MÉTAUX PAR MÉLANGE RÉGULÉ DE PRÉCURSEURS
Abrégé : front page image
(EN)Methods of depositing a film by atomic layer deposition are described. The methods comprise exposing a substrate surface to a first process condition comprising a first reactive gas and a second reactive gas and exposing the substrate surface to a second process condition comprising the second reactive gas. The first process condition comprises less than a full amount of the second reactive gas for a CVD process.
(FR)L'invention concerne des procédés de dépôt d'un film par dépôt de couche atomique. Ces procédés consistent à soumettre une surface de substrat à un premier état de traitement en utilisant un premier gaz réactif et un second gaz réactif; et à soumettre la surface de substrat à un second état de traitement en utilisant le second gaz réactif. On utilise pour le premier état de traitement moins d'une quantité totale du second gaz réactif pour un procédé CVD.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)