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1. (WO2017189124) DÉTECTEURS AMÉLIORÉS À MODULATION DE GRILLE DE NIVEAU DE TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/189124    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/023424
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 21.03.2017
CIB :
G01N 27/414 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01)
Déposants : STC. UNM [US/US]; 801 University Boulevard, SE Suite 101 Albuquerque, NM 87106 (US)
Inventeurs : KRISHNA, Sanjay; (US).
ZARKESH-HA, Payman; (US).
RAMIREZ, David, A.; (US).
KLEIN, Brianna; (US).
CAVALLO, Francesca; (US).
ZAMIRI, Seyedeh, Marziyeh; (US).
KAZEMI, Alireza; (US).
KADLEC, Clark; (US)
Mandataire : HSIEH, Timothy, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/329,668 29.04.2016 US
Titre (EN) WAFER LEVEL GATE MODULATION ENHANCED DETECTORS
(FR) DÉTECTEURS AMÉLIORÉS À MODULATION DE GRILLE DE NIVEAU DE TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)A detector or sensor including a transistor having a sensor element that generates a current when exposed to a stimulus such as light or a chemical, in one implementation, the sensor element is positioned between a transistor gate and a transistor channel. When the sensor element is not being exposed to the stimulus, the transistor outputs a first voltage on a transistor drain contact when the transistor Inverts. When the sensor element is being exposed to the stimulus, the transistor outputs a second voltage on the transistor drain contact when the transistor inverts, where the second voltage is higher than the first voltage.
(FR)L'invention concerne un détecteur ou capteur qui comprend un transistor ayant un élément de capteur qui génère un courant lorsqu'il est exposé à un stimulus tel qu'une lumière ou un produit chimique, dans un mode de réalisation, l'élément de capteur est positionné entre une grille de transistor et un canal de transistor. Lorsque l'élément de capteur n'est pas exposé au stimulus, le transistor délivre en sortie une première tension sur un contact de drain de transistor lorsque le transistor s'inverse. Lorsque l'élément de capteur est exposé au stimulus, le transistor délivre en sortie une seconde tension sur le contact de drain de transistor lorsque le transistor s'inverse, la seconde tension étant supérieure à la première tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)