WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017188612) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE SUBSTANCES ÉTRANGÈRES À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ D'ADSORPTION DE CHAMP ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/188612 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/003349
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 28.03.2017
CIB :
H01L 21/465 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
465
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants : LG CHEM, LTD.[KR/KR]; 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336, KR
Inventeurs : SHIN, Dongmyung; KR
CHUN, Sang Ki; KR
LEE, Bum Woo; KR
Mandataire : CHUNG, Soon-Sung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-005168927.04.2016KR
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR REMOVING FOREIGN SUBSTANCES BY USING ELECTRIC FIELD ADSORPTION METHOD
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE SUBSTANCES ÉTRANGÈRES À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ D'ADSORPTION DE CHAMP ÉLECTRIQUE
(KO) 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a system and a method for removing foreign substances by using an electric field adsorption method, and in which: foreign substances on the surface of a film can be easily adsorbed and removed by using an electric field adsorption method through a micro current (several micro-amperes) voltage driving method, instead of using surface treatment that causes a damage on the surface of the film, such as plasma discharge treatment, corona discharge treatment, and air blowing treatment in a treatment process for removing foreign substances on the surface of the film so as to reduce a safety accident rate of a worker by excluding, especially, a high-voltage discharge treatment or the like and prevent scratches from occurring on the surface of the film.
(FR) La présente invention concerne un système et un procédé d'élimination de substances étrangères à l'aide d'un procédé d'adsorption de champ électrique qui permet d'adsorber et d'éliminer facilement des substances étrangères sur la surface d'un film par utilisation d'un procédé d'adsorption de champ électrique par l'intermédiaire d'un procédé d'attaque de tension de micro-courant (plusieurs micro-ampères), plutôt que d'utiliser un traitement de surface qui endommage la surface du film, tel qu'un traitement par décharge plasma, un traitement par décharge à effet couronne et un traitement par soufflage d'air dans un processus de traitement de façon à éliminer des substances étrangères sur la surface du film afin de réduire un taux d'accidents liés à la sécurité d'un travailleur en excluant, en particulier, un traitement par décharge haute tension ou autre, et d'empêcher que des rayures n'apparaissent sur la surface du film.
(KO) 본 발명은 필름 표면의 이물질을 제거하기 위한 처리 공정에 있어서 필름 표면의 이물질을 제거하기 위한 처리 공정에 있어서 플라즈마 방전 처리, 코로나 방전 처리, 에어 블로잉 처리 등과 같이 필름 표면의 손상을 야기하는 표면 처리 방식이 아닌, 미세전류(수마이크로 암페어) 전압구동방식을 통한 전기장 흡착 방식을 이용하여 필름 표면의 이물질을 용이하게 흡착 제거할 수 있으며, 특히 고압의 방전 처리 등을 배제하여 작업자의 안전 사고 발생률을 감소시키고 또한 필름 표면에 스크래치를 발생시키지 않도록 하는 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법에 관한 것이다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)