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1. (WO2017188504) SURFACE SÉLECTIVE DE FRÉQUENCE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/188504    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/006106
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 09.06.2016
CIB :
H03H 9/64 (2006.01), H03H 3/02 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01)
Déposants : KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141 (KR)
Inventeurs : OH, Il Kwon; (KR).
CHOI, Jun Ho; (KR)
Mandataire : YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 115 Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06134 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0051450 27.04.2016 KR
Titre (EN) ACTIVE FREQUENCY SELECTIVE SURFACE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SURFACE SÉLECTIVE DE FRÉQUENCE ACTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 능동적 주파수 선택 표면 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)An active frequency selective surface and a manufacturing method therefor are provided. Here, the active frequency selective surface is a frequency selective surface for transmitting or reflecting electromagnetic waves having a specific frequency, and comprises: a dielectric elastomer; a first flexible electrode, on which a conductive pattern is formed, on the upper surface of the dielectric elastomer; and a second flexible electrode, on which a conductive pattern is formed, on the lower surface of the dielectric elastomer, and when a voltage is applied to the first flexible electrode and the second flexible electrode, the geometric structure of the conductive pattern changes, by a compressive force applied to the dielectric elastomer according to the electrical attraction between the first flexible electrode and the second flexible electrode, such that frequency characteristics vary.
(FR)Cette invention concerne une surface sélective de fréquence active et sur son procédé de fabrication. Ladite surface sélective de fréquence active est une surface sélective de fréquence pour transmettre ou réfléchir des ondes électromagnétiques ayant une fréquence spécifique, et elle comprend : un élastomère diélectrique ; une première électrode flexible, sur laquelle un motif conducteur est formé, sur la surface supérieure de l'élastomère diélectrique ; et une seconde électrode flexible, sur laquelle un motif conducteur est formé, sur la surface inférieure de l'élastomère diélectrique, et lorsqu'une tension est appliquée à la première électrode flexible et à la seconde électrode flexible, la structure géométrique du motif conducteur change, par une force de compression appliquée à l'élastomère diélectrique en fonction de l'attraction électrique entre la première électrode flexible et la seconde électrode flexible, de sorte que les caractéristiques de fréquence varient.
(KO)능동적 주파수 선택 표면 및 그 제조 방법이 제공된다. 여기서, 능동적 주파수 선택 표면은 특정 주파수를 가진 전자파를 투과하거나 또는 반사시키는 주파수 선택 표면으로서, 유전 탄성체, 상기 유전 탄성체의 상부면에 도전성 패턴이 패터닝된 제1 유연 전극, 그리고 상기 유전 탄성체의 하부면에 상기 도전성 패턴이 패터닝된 제2 유연 전극을 포함하고, 상기 제1 유연 전극과 상기 제2 유연 전극에 전압이 인가되면, 상기 제1 유연 전극과 상기 제2 유연 전극 간의 전기적 인력에 따라 상기 유전 탄성체에 가해진 압축력으로 인해 상기 도전성 패턴의 기하학 구조가 변형되어 주파수 특성이 가변된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)