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1. (WO2017188380) ÉCHANTILLON DE RÉFÉRENCE DOTÉ D'UNE BASE DE SUPPORT INCLINÉE, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN SUBSTRAT DE SIC
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N° de publication :    WO/2017/188380    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/016737
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 27.04.2017
CIB :
H01J 37/28 (2006.01), G01N 1/00 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01)
Déposants : KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP/JP]; 1-155, Uegahara-Ichiban-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo 6628501 (JP)
Inventeurs : KANEKO, Tadaaki; (JP).
ASHIDA, Koji; (JP).
KUTSUMA, Yasunori; (JP)
Mandataire : KATSURAGAWA, Naoki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-089094 27.04.2016 JP
Titre (EN) REFERENCE SAMPLE WITH INCLINED SUPPORT BASE, METHOD FOR EVALUATING SCANNING ELECTRON MICROSCOPE, AND METHOD FOR EVALUATING SIC SUBSTRATE
(FR) ÉCHANTILLON DE RÉFÉRENCE DOTÉ D'UNE BASE DE SUPPORT INCLINÉE, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN SUBSTRAT DE SIC
(JA) 傾斜支持台付き標準試料、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びSiC基板の評価方法
Abrégé : front page image
(EN)In this reference sample (41), a step/terrace structure comprising monocrystalline SiC is formed. The surface of each terrace has either a first layer orientation or a second layer orientation. Furthermore, when the angle formed by an electron beam emitted from a scanning electron microscope, with respect to a normal line of the surface of a terrace, is defined as the incident electron angle, the reference sample (41) has a contrast, i.e. the difference in brightness between an image of a terrace which has the first layer orientation and which is directly below the surface, and an image of a terrace which has the second layer orientation and which is directly below the surface, which changes in accordance with the incident electron angle. Accordingly, even if a SiC substrate has an off angle (in the range of 1-8˚ for instance), a clear contrast reflecting the difference between the first layer orientation and the second layer orientation directly below the surface can be obtained, regardless of the off angle, by using an inclined support base (20a) which enables the off angle to be corrected.
(FR)L'invention concerne un échantillon de référence (41) dans lequel une structure de gradin/terrasse comprenant du SiC monocristallin est formée. La surface de chaque terrasse présente soit une première orientation de couche soit une seconde orientation de couche. En outre, lorsque l'angle formé par un faisceau d'électrons émis par un microscope électronique à balayage, par rapport à une ligne normale de la surface d'une terrasse, est défini comme étant l'angle d'incidence d'électrons, l'échantillon de référence (41) présente un contraste, c'est-à-dire la différence de luminosité entre une image d'une terrasse qui présente la première orientation de couche et qui est directement au-dessous de la surface, et une image d'une terrasse qui présente la seconde orientation de couche et qui est directement au-dessous de la surface, qui change conformément à l'angle d'incidence d'électrons. Par conséquent, même si un substrat de SiC présente un angle d'inclinaison (dans la plage de 1 à 8 ° par exemple), un contraste clair reflétant la différence entre la première orientation de couche et la seconde orientation de couche directement au-dessous de la surface peut être obtenu, indépendamment de l'angle d'inclinaison, au moyen d'une base de support inclinée (20a) qui permet de corriger l'angle d'inclinaison.
(JA)標準試料(41)は、単結晶SiCからなるステップ/テラス構造が形成されており、それぞれのテラスの表面は、第1積層配向又は第2積層配向の何れかである。また、テラスの表面の垂直線に対して、走査型電子顕微鏡から照射される電子線がなす角度を入射電子角度としたときに、この標準試料(41)は、表面直下の第1積層配向のテラスの映像と、表面直下の第2積層配向のテラスの映像と、の明暗の差であるコントラストが入射電子角度に応じて変化する。SiC基板がオフ角度(例えば1°から8°)を有する場合においても、当該オフ角度を補正可能とする傾斜支持台(20a)を使用することでオフ角度によらず、表面直下の第1積層配向と第2積層配向の差を反映した鮮明なコントラストが得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)