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1. (WO2017188297) COMPOSITION DE RÉSIST ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF L'UTILISANT
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N° de publication :    WO/2017/188297    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/016486
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 26.04.2017
CIB :
G03F 7/004 (2006.01), C07C 25/18 (2006.01), C07C 309/06 (2006.01), C07C 323/18 (2006.01), C09K 3/00 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01)
Déposants : TOYO GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1603 Kamimyoden, Ichikawa-shi, Chiba 2720012 (JP)
Inventeurs : ENOMOTO, Satoshi; (JP).
SUGA, Yusuke; (JP)
Mandataire : SK INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Hiroo-Building 4th Floor, 3-12-40, Hiroo, Shibuya-ku, Tokyo 1500012 (JP).
OKUNO Akihiko; (JP).
ITO Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-091875 28.04.2016 JP
Titre (EN) RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE USING SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSIST ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF L'UTILISANT
(JA) レジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a resist composition that improves acid generation efficiency and is used to produce a photoresist having high sensitivity, high resolution, and high LWR properties. The present invention relates to a compound represented by general formula (1). (1) (In formula (1): Ar1 and Ar2 independently represent a phenylene group optionally having a substituent; R1 represents a member selected from the group consisting of a thioalkoxy phenyl group, an arylthio group, and a thioalkoxy group optionally having a substituent; X represents a member selected from the group consisting of a sulfur atom, an oxygen atom, and a direct bond; R2 represents either an aryl group or an alkyl group optionally having a substituent; each Y independently represents either an oxygen atom or a sulfur atom; R3 and R4 independently represent a linear, branched, or cyclic alkyl group optionally having a substituent; R3 and R4 are optionally bound to each other so as to form a ring structure together with two Y's in the formula; at least one of the carbon-carbon single bonds in the alkyl group included in R1, R2, R3, and R4 is optionally substituted with a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond; and at least one of the methylene groups in the alkyl group included in R1, R2, R3, and R4 is optionally substituted with a heteroatom-containing divalent group.)
(FR)La présente invention concerne une composition de résist qui améliore l'efficacité de génération d'acide et est utilisée pour produire un photorésist ayant une sensibilité élevée, une haute résolution et des propriétés de LWR élevées. La présente invention concerne un composé représenté par une formule générale (1). (1) (Dans la formule (1) : Ar 1 et Ar 2 représentent indépendamment un groupe phénylène ayant facultativement un substituant ; R 1 représente un élément choisi dans le groupe constitué par un groupe thioalcoxy phényle, un groupe arylthio, et un groupe thioalcoxy ayant éventuellement un substituant ; X représente un élément choisi dans le groupe constitué par un atome de soufre, un atome d'oxygène et une liaison directe ; R 2 représente soit un groupe aryle soit un groupe alkyle ayant éventuellement un substituant ; chaque Y représente indépendamment un atome d'oxygène ou un atome de soufre ; R 3 et R 4 représentent indépendamment un groupe alkyle linéaire, ramifié ou cyclique ayant éventuellement un substituant ; R 3 et R 4 sont facultativement liés l'un à l'autre de façon à former une structure en anneau avec deux Y dans la formule ; au moins l'une des liaisons simples carbone-carbone dans le groupe alkyle compris dans R 1 , R 2 , R 3 , et R 4 est éventuellement substituée par une double liaison carbone-carbone ou une triple liaison carbone-carbone ; et au moins l'un des groupes méthylène dans le groupe alkyle compris dans R 1 , R 2 , R 3 , et R 4 éventuellement substitué par un groupe divalent contenant un hétéroatome.)
(JA)酸発生効率を向上させ、高感度、高解像度及び高いLWR特性であるフォトレジストとするためのレジスト組成物を提供する。 下記一般式(1)で表される化合物。 (1) (前記式(1)中、Ar及びArは、独立して各々に、置換基を有していてもよいフェニレン基であり、 Rは、置換基を有していてもよいチオアルコキシ基、アリールチオ基及びチオアルコキシフェニル基からなる群より選択されるいずれかであり、 Xは、硫黄原子、酸素原子及び直接結合からなる群より選択されるいずれかであり、 R2は、置換基を有していてもよいアルキル基及びアリール基のいずれかであり、 Yは、独立して各々に、酸素原子及び硫黄原子のいずれかであり、 R及びRは、独立して各々に、置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であり、前記R及びRは、互いに結合して式中の2つのYと環構造を形成していてもよく、 R、R2、R及びRが有するアルキル基中の炭素-炭素一重結合の少なくとも一つが、炭素-炭素二重結合又は炭素-炭素三重結合で置き換えられていても良く、 R、R2、R及びRが有するアルキル基中のメチレン基の少なくとも一つが、2価のヘテロ原子含有基で置き換えられていてもよい。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)