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1. (WO2017188166) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE RECUIT LASER
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N° de publication :    WO/2017/188166    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/016132
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416025 (JP)
Inventeurs : WAKABAYASHI, Naoki; (JP)
Mandataire : KITAYAMA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-089018 27.04.2016 JP
2016-187992 27.09.2016 JP
Titre (EN) LASER ANNEALING METHOD AND LASER ANNEALING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE RECUIT LASER
(JA) レーザアニール方法及びレーザアニール装置
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, prepared is a silicon wafer having implanted in a surface layer part of one surface thereof an element that forms composite defects which function as donors when activated. A pulsed laser beam having a wavelength in the range of 690 to 950nm inclusive is caused to enter a laser irradiation surface of the silicon wafer, which is the surface where the element has been implanted, in order to activate the element. During the activation of the element, the pulse width of the pulsed laser beam and the pulse energy density are set such that the pulsed laser beam enters the silicon wafer under the conditions that the element in at least some regions from the surface to a depth of 40μm is activated without melting the laser irradiation surface.
(FR)La présente invention concerne la préparation d'une tranche de silicium ayant un élément implanté dans une partie de couche superficielle d'une surface de ladite tranche, ledit élément formant des défauts de composite à fonction de donneurs une fois activés. Un faisceau laser pulsé ayant une longueur d'onde comprise entre 690 et 950 nm inclus est amené à pénétrer dans une surface d'irradiation par laser de la tranche de silicium, qui est la surface où l'élément a été implanté, afin d'activer l'élément. Lors de l'activation de l'élément, la largeur d'impulsion du faisceau laser pulsé et la densité d'énergie d'impulsion sont définies de telle sorte que le faisceau laser pulsé pénètre dans la tranche de silicium en respectant la condition selon laquelle l'élément dans au moins certaines régions depuis la surface jusqu'à une profondeur de 40 µm est activé sans faire fondre la surface d'irradiation par laser.
(JA)活性化することによってドナーとして作用する複合欠陥を形成する元素が、一方の表面の表層部に注入されたシリコンウエハを準備する。690nm以上950nm以下の範囲内の波長のパルスレーザビームを、シリコンウエハの元素が注入されている表面であるレーザ照射面に入射させて元素を活性化させる。元素を活性化させる際に、パルスレーザビームのパルス幅、及びパルスエネルギ密度を、レーザ照射面が溶融せず、表面から深さ40μmまでの少なくとも一部の領域の元素が活性化する条件でパルスレーザビームをシリコンウエハに入射させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)