WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017188132) DISPOSITIF D'IRRADIATION DE FAISCEAU D'IONS ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION DE FAISCEAU D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/188132    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/015983
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 21.04.2017
CIB :
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/30 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP)
Inventeurs : INAMI, Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-087227 25.04.2016 JP
Titre (EN) ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND ION BEAM IRRADIATION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION DE FAISCEAU D'IONS ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION DE FAISCEAU D'IONS
(JA) イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with: a substrate holder (3) that holds a substrate (W); a rotating mechanism (4) that rotates the substrate holder (3) about a center portion (Wa) of the substrate (W) being held; a reciprocating mechanism (5) that reciprocates the substrate holder (3) and the rotating mechanism (4) in the moving direction (D); and an ion beam irradiation unit (6) that irradiates the substrate (W) with an ion beam (IB). The ion beam (IB) has a center region (IBx) where the beam current density is a predetermined value or more in the moving direction (D), and a peripheral region (IBy) where the beam current density is less than the predetermined value, a center region (IBx) size in the direction orthogonal to the moving direction (D) is larger than a substrate (W) size in the direction orthogonal to the moving direction (D), and a control device (7) reciprocates the substrate (W) such that a part of the substrate (W) overlaps a beam irradiation range even at both reciprocating ends, said substrate being held by the substrate holder (3), and continuously rotates the substrate (W) while the substrate is being reciprocated.
(FR)La présente invention est pourvue de : un support de substrat (3) qui maintient un substrat (W) ; un mécanisme de rotation (4) qui fait tourner le support de substrat (3) autour d'une partie centrale (Wa) du substrat (W) étant maintenu ; un mécanisme de va-et-vient (5) qui cause un mouvement alternatif du support de substrat (3) et du mécanisme de rotation (4) dans la direction de déplacement (D) ; et une unité d'irradiation de faisceau d'ions (6) qui irradie le substrat (W) avec un faisceau d'ions (IB). Le faisceau d'ions (IB) comporte une région centrale (IBx) dans laquelle la densité de courant de faisceau est supérieure ou égale à une valeur prédéterminée dans la direction de déplacement (D), et une région périphérique (IBy) dans laquelle la densité de courant de faisceau est inférieure à la valeur prédéterminée, la taille de la région centrale (IBx) dans la direction orthogonale à la direction de déplacement (D) est supérieure à une taille de substrat (W) dans la direction orthogonale à la direction de déplacement (D), et un dispositif de commande (7) cause un mouvement alternatif du substrat (W) de sorte qu'une partie du substrat (W) chevauche une plage d'irradiation de faisceau même aux deux extrémités de va-et-vient, ledit substrat étant maintenu par le support de substrat (3), et fait tourner en continu le substrat (W) pendant que le substrat est déplacé en va-et-vient.
(JA)基板(W)を保持する基板ホルダ(3)と、基板ホルダ(3)を保持された基板(W)の中心部(Wa)周りに回転させる回転機構(4)と、基板ホルダ(3)及び回転機構(4)を移動方向(D)に沿って往復移動させる往復移動機構(5)と、基板(W)に対してイオンビーム(IB)を照射するイオンビーム照射部(6)とを備え、イオンビーム(IB)は、移動方向(D)に沿ってビーム電流密度が所定値以上である中央領域(IBx)とビーム電流密度が所定値未満である周辺領域(IBy)とを有し、中央領域(IBx)における移動方向(D)に直交する方向の寸法が、基板(W)における移動方向(D)に直交する方向の寸法よりも大きいものであり、制御装置(7)が、基板ホルダ(3)に保持された基板(W)を前記往復移動の両端でも基板(W)の一部がビーム照射範囲に重なるように往復移動させるとともに、基板(W)を往復移動中に連続回転させるものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)