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1. (WO2017188108) AGENT DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT ÉLECTRONIQUE
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N° de publication :
WO/2017/188108
N° de la demande internationale :
PCT/JP2017/015834
Date de publication :
02.11.2017
Date de dépôt international :
20.04.2017
CIB :
C23F 1/44
(2006.01),
H01L 21/306
(2006.01),
H01L 21/308
(2006.01)
C
CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1
Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
44
Compositions pour enlever des matériaux métalliques d'un substrat métallique de composition différente
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés A
III
B
V
, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés A
III
B
V
, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
Déposants :
SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
[JP/JP]; 11-1, Ikkyonomotocho, Higashiyama-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6050995 (JP)
Inventeurs :
KOJIMA, Toshiki
; (JP).
SATO, Shohei
; (JP).
KATSUKAWA, Yoshitaka
; (JP)
Mandataire :
YASUTOMI & ASSOCIATES
; 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-088689
27.04.2016
JP
Titre
(EN)
ETCHANT, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC SUBSTRATE
(FR)
AGENT DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT ÉLECTRONIQUE
(JA)
エッチング液及び電子基板の製造方法
Abrégé :
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an etchant which can be used to selectively remove copper and/or a copper alloy from a substrate including copper and/or a copper alloy, and nickel and/or a nickel alloy. The etchant according to the present invention is for etching a substrate having copper and/or a copper alloy, and nickel and/or a nickel alloy, to remove the copper and/or the copper alloy, and contains an organic acid (A) and an oxidizer (B). The organic acid (A) has an acid dissociation constant (pKa) of -1.10 to 2.60. A first corrosion potential as measured using nickel as a working electrode, Ag/AgCl filled with a saturated KCl solution as a reference electrode, and the etchant as an electrolyte solution is 0.1-0.5 V.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un agent de gravure qui peut être utilisé pour retirer sélectivement du cuivre et/ou un alliage de cuivre d'un substrat comprenant du cuivre et/ou un alliage de cuivre, et du nickel et/ou un alliage de nickel. L'agent de gravure selon la présente invention est destiné à graver un substrat contenant du cuivre et/ou un alliage de cuivre, et du nickel et/ou un alliage de nickel, pour en éliminer le cuivre et/ou l'alliage de cuivre, et il contient un acide organique (A) et un agent oxydant (B). L'acide organique (A) a une constante de dissociation acide (pKa) de -1,10 à 2,60. Un premier potentiel de corrosion, tel que mesuré avec du nickel comme électrode de travail, de l'Ag/AgCl rempli d'une solution de KCl saturée comme électrode de référence et l'agent de gravure comme solution électrolytique, vaut de 0,1 à 0,5 V.
(JA)
本発明は、銅及び/又は銅合金、並びに、ニッケル及び/又はニッケル合金を有する基材から、銅及び/又は銅合金を選択的に除去することができるエッチング液の提供を目的とする。 本発明のエッチング液は、銅及び/又は銅合金とニッケル又はニッケル合金とを有する基材から、前記銅及び/又は銅合金をエッチングするエッチング液であって、前記エッチング液は、有機酸(A)及び酸化剤(B)を含有し、前記有機酸(A)の酸解離定数(pKa)が-1.10~2.60であり、作用電極としてニッケルを用い、参照電極として飽和KCl溶液で充填したAg/AgClを用い、電解質溶液として前記エッチング液を用いて測定した第1腐食電位が0.1V以上、0.5V以下である。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)