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1. (WO2017188106) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES
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N° de publication :    WO/2017/188106    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/015826
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 20.04.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : MIYAMOTO Tadayoshi; (--)
Mandataire : AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-089364 27.04.2016 JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A gate driver TFT 30 is provided with: a first gate electrode 30a formed of a first metal film 15; a second gate electrode 31, which is formed of a second metal film 19, and which is superimposed with a part of the first gate electrode 30a; an electrode 32, which is formed of the second metal film 19, and which is superimposed with a part of the first gate electrode 30a, said electrode being disposed by having a gap between the second gate electrode 31 and the electrode; a plurality of channel sections 30d configured from parts of an oxide semiconductor film 17, said parts being superimposed with the second gate electrode 31 and the electrode 32, respectively; and a first low resistance section 33, which has a resistance that is lower than that of the channel section 30d, and which is formed of a part of the oxide semiconductor film 17, said part not being superimposed with the second gate electrode 31 and the electrode 32, and being sandwiched between at least the channel sections 30d.
(FR)La présente invention concerne un transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor) d'excitation de grille (30) qui est pourvu : d'une première électrode de grille (30a) formée d'un premier film métallique (15) ; d'une seconde électrode de grille (31), qui est formée d'un second film métallique (19) et qui est superposée à une partie de la première électrode de grille (30a) ; d'une électrode (32), qui est formée sur le second film métallique (19) et qui est superposée à une partie de la première électrode de grille (30a), ladite électrode étant disposée en ménageant un espace entre la seconde électrode de grille (31) et l'électrode ; d'une pluralité de sections de canal (30d) configurées à partir de parties d'un film semi-conducteur d'oxyde (17), lesdites parties étant superposées à la seconde électrode de grille (31) et à l'électrode (32), respectivement ; et d'une première section à faible résistance (33) qui présente une résistance qui est inférieure à celle de la section de canal (30d), et qui est formée d'une partie du film semi-conducteur d'oxyde (17), ladite partie n'étant pas superposée à la seconde électrode de grille (31) et à l'électrode (32), et étant prise en sandwich entre au moins les sections de canal (30d).
(JA)ゲートドライバTFT30は、第1金属膜15からなる第1ゲート電極30aと、第2金属膜19からなり第1ゲート電極30aの一部と重畳する第2ゲート電極31と、第2金属膜19からなり第1ゲート電極30aの一部と重畳し第2ゲート電極31に対して間隔を空けて配される電極32と、酸化物半導体膜17のうち第2ゲート電極31及び電極32とそれぞれ重畳する部分からなる複数のチャネル部30dと、酸化物半導体膜17のうち第2ゲート電極31及び電極32とは非重畳とされて少なくとも複数のチャネル部30dの間に挟まれた部分からなり、チャネル部30dよりも低抵抗な第1低抵抗部33と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)