Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017188106) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/188106 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/015826
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 20.04.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
宮本 忠芳 MIYAMOTO Tadayoshi; --
Mandataire :
特許業務法人暁合同特許事務所 AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区栄二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
Données relatives à la priorité :
2016-08936427.04.2016JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
Abrégé :
(EN) A gate driver TFT 30 is provided with: a first gate electrode 30a formed of a first metal film 15; a second gate electrode 31, which is formed of a second metal film 19, and which is superimposed with a part of the first gate electrode 30a; an electrode 32, which is formed of the second metal film 19, and which is superimposed with a part of the first gate electrode 30a, said electrode being disposed by having a gap between the second gate electrode 31 and the electrode; a plurality of channel sections 30d configured from parts of an oxide semiconductor film 17, said parts being superimposed with the second gate electrode 31 and the electrode 32, respectively; and a first low resistance section 33, which has a resistance that is lower than that of the channel section 30d, and which is formed of a part of the oxide semiconductor film 17, said part not being superimposed with the second gate electrode 31 and the electrode 32, and being sandwiched between at least the channel sections 30d.
(FR) La présente invention concerne un transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor) d'excitation de grille (30) qui est pourvu : d'une première électrode de grille (30a) formée d'un premier film métallique (15) ; d'une seconde électrode de grille (31), qui est formée d'un second film métallique (19) et qui est superposée à une partie de la première électrode de grille (30a) ; d'une électrode (32), qui est formée sur le second film métallique (19) et qui est superposée à une partie de la première électrode de grille (30a), ladite électrode étant disposée en ménageant un espace entre la seconde électrode de grille (31) et l'électrode ; d'une pluralité de sections de canal (30d) configurées à partir de parties d'un film semi-conducteur d'oxyde (17), lesdites parties étant superposées à la seconde électrode de grille (31) et à l'électrode (32), respectivement ; et d'une première section à faible résistance (33) qui présente une résistance qui est inférieure à celle de la section de canal (30d), et qui est formée d'une partie du film semi-conducteur d'oxyde (17), ladite partie n'étant pas superposée à la seconde électrode de grille (31) et à l'électrode (32), et étant prise en sandwich entre au moins les sections de canal (30d).
(JA) ゲートドライバTFT30は、第1金属膜15からなる第1ゲート電極30aと、第2金属膜19からなり第1ゲート電極30aの一部と重畳する第2ゲート電極31と、第2金属膜19からなり第1ゲート電極30aの一部と重畳し第2ゲート電極31に対して間隔を空けて配される電極32と、酸化物半導体膜17のうち第2ゲート電極31及び電極32とそれぞれ重畳する部分からなる複数のチャネル部30dと、酸化物半導体膜17のうち第2ゲート電極31及び電極32とは非重畳とされて少なくとも複数のチャネル部30dの間に挟まれた部分からなり、チャネル部30dよりも低抵抗な第1低抵抗部33と、を備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)