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1. (WO2017187710) CAPTEUR DE FORME D'ONDE DE VIBRATION ET DÉTECTEUR D'ONDE D'IMPULSION
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N° de publication :    WO/2017/187710    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/004690
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
A61B 5/02 (2006.01), A61B 5/0245 (2006.01)
Déposants : TAIYO YUDEN CO., LTD. [JP/JP]; 6-16-20, Ueno, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Inventeurs : KOBAYASHI Keiichi; (JP).
ISHIGURO Takashi; (JP)
Mandataire : KAJIHARA Yasutoshi; (JP).
TAKAKU Yukiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-090079 28.04.2016 JP
2016-159758 16.08.2016 JP
2016-225514 18.11.2016 JP
Titre (EN) VIBRATION WAVEFORM SENSOR AND PULSE WAVE DETECTOR
(FR) CAPTEUR DE FORME D'ONDE DE VIBRATION ET DÉTECTEUR D'ONDE D'IMPULSION
(JA) 振動波形センサ及び脈波検出装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a vibration waveform sensor that is highly sensitive and that uses a piezoelectric element, wherein generation of hum noise is inhibited without being short circuited and reliability is improved by disposing on a substrate (20) a pair of conductive pads (22, 23) and a piezoelectric element (30) having terminal electrodes connected to said conductive pads and further by encircling the conductive pads and the piezoelectric element with a ring-shaped conductive spacer (40). On the inner side of the spacer (40), a substantially disk-shaped cover part (44) is provided so as to cover the pair of conductive pads (22, 23) and the piezoelectric element (30). The spacer (40) has a substantially H-shaped cross-section in a direction orthogonal to the substrate (20). Silicone resin (46) is filled in the inner side of the spacer (40), as necessary. Hum noise is reduced since a continuous surface of the cover part (44) blocks the hum noise coming from the top surface of the piezoelectric element (30). A conductive film (24) is provided in the area on the substrate (20) except for the area encircled by the spacer (40).
(FR)L'invention porte sur un capteur de forme d'onde de vibration qui est hautement sensible et qui utilise un élément piézoélectrique, dans lequel la génération de bruit de bourdonnement est empêchée sans être court-circuitée et la fiabilité est améliorée en disposant sur un substrat (20) une paire de plots conducteurs (22, 23) et un élément piézoélectrique (30) ayant des électrodes terminales connectées auxdits plots conducteurs, et en outre en encerclant les plots conducteurs et l'élément piézoélectrique avec une entretoise conductrice en forme d'anneau (40). Sur le côté intérieur de l'entretoise (40), une partie couvercle sensiblement en forme de disque (44) est disposée de manière à recouvrir la paire de plots conducteurs (22, 23) et l'élément piézoélectrique (30). L'entretoise (40) présente une section transversale sensiblement en forme de H dans une direction orthogonale au substrat (20). La résine de silicone (46) est introduite dans le côté interne de l'entretoise (40), si nécessaire. Le bruit de bourdonnement est réduit étant donné qu'une surface continue de la partie couvercle (44) bloque le bruit de bourdonnement provenant de la surface supérieure de l'élément piézoélectrique (30). Un film conducteur (24) est disposé dans la zone sur le substrat (20) à l'exception de la zone encerclée par l'entretoise (40).
(JA)圧電素子を用いた高感度な振動波形センサにおいて、短絡することなくハムノイズの発生を抑制するとともに、信頼性の向上を図るため、基板(20)上に一対の導電パッド(22,23)と、これらに端子電極が接続された圧電素子(30)を設け、これらの周囲を、導電性を有するリング状のスペーサ(40)で囲う。前記スペーサ(40)の内側には、前記一対の導電パッド(22,23)及び前記圧電素子(30)を覆うように、略円板状の被覆部(44)が設けられている。スペーサ(40)は、基板(20)と直交する断面形状が略H型となっている。前記スペーサ(40)の内側には必要に応じてシリコン樹脂(46)が充填される。前記被覆部(44)が、圧電素子(30)の上面からのハムノイズを連続した面で遮断するため、ハムノイズが低減する。前記基板(20)上であって前記スペーサ(40)で囲まれた領域以外には導電膜(24)が設けられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)