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1. (WO2017186666) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT AU MOINS UNE COUCHE INTERMÉDIAIRE DE PLUS GRAND GAP DISPOSÉE DANS AU MOINS UNE COUCHE BARRIÈRE DE LA ZONE ÉMETTRICE DE LUMIÈRE
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N° de publication :    WO/2017/186666    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/059711
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 25.04.2017
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bat le Ponant 25 rue Leblanc 75015 Paris (FR)
Inventeurs : EVEN, Armelle; (FR).
ELOUNEG-JAMROZ, Miryam; (FR).
ROBIN, Ivan-Christophe; (FR)
Mandataire : BREVALEX; 95, rue d'Amsterdam 75378 PARIS CEDEX 8 (FR)
Données relatives à la priorité :
16 53738 27.04.2016 FR
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE COMPRISING AT LEAST ONE WIDER BANDGAP INTERMEDIATE LAYER PLACED IN AT LEAST ONE BARRIER LAYER OF THE LIGHT-EMITTING ZONE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT AU MOINS UNE COUCHE INTERMÉDIAIRE DE PLUS GRAND GAP DISPOSÉE DANS AU MOINS UNE COUCHE BARRIÈRE DE LA ZONE ÉMETTRICE DE LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)Light-emitting diode (100) comprising: first and second semiconductor layers (102, 104) respectively doped n-type and p-type, forming a p-n junction; an active zone (105) placed between the first and second layers, comprising an InXGa1-XN emitting layer (106) able to form a quantum well, and two InYGa1-YN, 0 < Y < X, barrier layers (108) between which the emitting layer is placed; an intermediate layer (114), which is placed either in the barrier layer located between the emitting layer and the first layer and portions of which are then on either side of the intermediate layer, or placed between said barrier layer and the emitting layer, the intermediate layer including a III-N semiconductor of bandgap wider than that of said barrier layer; and wherein: the second layer includes GaN or InWGa1-WN, 0 < W < Y, and the first layer In VGa1-VN, V > W > 0.
(FR)Diode électroluminescente (100) comprenant: des première et deuxième couches semiconductrices (102, 104) dopées respectivement n et p, formant une jonction p-n; une zone active (105) disposée entre les première et deuxième couches, comprenant une couche émissive (106) d'In XGa 1-XN apte à former un puits quantique, et deux couches barrières (108) d'In YGa 1-YN, 0 < Y < X, entre lesquelles la couche émissive est disposée; une couche intermédiaire (114), disposée soit dans la couche barrière se trouvant entre la couche émissive et la première couche et dont des parties sont de part et d'autre de la couche intermédiaire, soit disposée entre ladite couche barrière et la couche émissive; couche intermédiaire comportant un semiconducteur III-N de gap supérieur à celui de ladite couche barrière; et dans laquelle: la deuxième couche comporte du GaN ou de l'In WGa 1-WN, 0 < W < Y; et la première couche de l'In VGa 1-VN, V > W > 0.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)