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1. (WO2017186033) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOSFET SIC BASÉ SUR UNE TECHNOLOGIE D'AUTO-ALIGNEMENT
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N° de publication : WO/2017/186033 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/081011
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 19.04.2017
CIB :
H01L 21/04 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
北京世纪金光半导体有限公司 BEIJING CENTURY GOLDRAY SEMICONDUCTOR CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 大兴经济技术开发区排干渠西路17号 No. 17, Paiganqu West Road, Economic and Technological Development Zone, Daxing Beijing 100176, CN
Inventeurs :
倪炜江 NI, Weijiang; CN
袁俊 YUAN, Jun; CN
张敬伟 ZHANG, Jingwei; CN
牛喜平 NIU, Xiping; CN
崔志勇 CUI, Zhiyong; CN
李明山 LI, Mingshan; CN
徐妙玲 XU, Miaoling; CN
季莎 JI, Sha; CN
卢小东 LU, Xiaodong; CN
孙安信 SUN, Anxin; CN
胡羽中 HU, Yuzhong; CN
Mandataire :
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 YIN INT'L IP FIRM; 中国北京市 海淀区厂洼1号金鹰写字楼200室 Room 200, Gold Eagle's Office Building No.1 Changwa Road, Haidian District Beijing 100089, CN
Données relatives à la priorité :
201610275559.429.04.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING SIC MOSFET ON THE BASIS OF SELF-ALIGNING TECHNOLOGY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOSFET SIC BASÉ SUR UNE TECHNOLOGIE D'AUTO-ALIGNEMENT
(ZH) 一种基于自对准工艺的SiC MOSFET制造方法
Abrégé :
(EN) A method for fabricating a SiC MOSFET on the basis of a self-aligning technology, which comprises the following steps: firstly, selecting an n-type SiC epitaxial material; fabricating an alignment mark on a surface of the epitaxial material according to different pieces of photoetching equipment; fabricating a p-well layer injection mask graph layer on the epitaxial material; carrying out an injection of Al ions, and forming a rectangular doped distributed p well region in SiC; carrying out an injection of P ions or an injection of N ions, so as to form an n++ type source region; removing a mask, and carrying out RCA cleaning; fabricating the mask again, and exposing an Al injection region in the n++ type source region; carrying out the Al ion injection again; carrying out the fabrication and injection of a mask of a junction terminal; carrying out RCA cleaning, and then removing an SiC layer on the surface by using HF or BOE; carrying out the growing of a gate medium; fabricating a highly-doped polycrystalline silicon layer; depositing a passivation layer; depositing an electrode metal, and etching off the metal at non-electrode positions. The method can form a very short trench, and the trenches on two sides of the interior of a cell are symmetrical; the lengths of the trenches in the whole device are uniform. The process is simple and controllable.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un MOSFET SiC sur la base d'une technologie d'auto-alignement, qui comprend les étapes suivantes : premièrement, sélection d'un matériau épitaxial de SiC de type n ; fabrication d'une marque d'alignement sur une surface du matériau épitaxial conformément à différents éléments d'équipement de photogravure ; fabrication d'une couche de graphique de masque d'injection de couche de puits p sur le matériau épitaxial ; la conduite d'une injection d'ions Al, et formation d'une région de puits p distribuée dopée rectangulaire dans SiC ; conduite d’une injection de P ions ou d’une injection de N ions, de façon à former une région de source de type n++ ; retrait d'un masque, et conduite d'un nettoyage RCA ; fabrication du masque à nouveau, et exposition d'une région d'injection de Al dans la région de source de type n++ ; conduite de l’injection d'ions Al à nouveau ; conduite de la fabrication et l'injection d'un masque d'une borne de jonction ; conduite d’un nettoyage RCA, puis retrait d’une couche de SiC sur la surface en utilisant HF ou BOE ; conduite de la croissance d'un support de grille ; fabrication d'une couche de silicium polycristallin fortement dopée ; dépôt d'une couche de passivation ; dépôt d'un métal d'électrode, et gravure du métal à des positions non-électrode. Le procédé peut former une tranchée très courte, et les tranchées sur deux côtés de l'intérieur d'une cellule sont symétriques ; les longueurs des tranchées dans l'ensemble du dispositif sont uniformes. Le procédé est simple et contrôlable.
(ZH) 一种基于自对准工艺的SiC MOSFET制造方法,其包括如下步骤:首先选择n型siC外延材料;根据不同的光刻设备在外延材料表面制作对准标记;在外延材料上制作p阱层注入掩膜图形层;进行Al离子注入,在SiC内形成矩形掺杂分布的p阱区;进行P离子注入,或者注入N离子,形成n++型源区;去掉掩膜,进行RCA清洗;并再次制作掩膜,在n++型源区内露出Al注入区域;再次进行Al离子注入;进行结终端的掩膜制作与注入;进行RCA清洗后,再用HF或BOE去除表面的SiC层;进行栅介质生长;制作高掺杂的多晶硅层;淀积钝化层;淀积电极金属,刻蚀掉非电极处的金属。该方法可以形成非常短的沟道,并且原胞内两侧沟道对称,整个器件内沟道长度均匀;工艺简单可控。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)