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1. (WO2017185775) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/185775    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/111670
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 23.12.2016
CIB :
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : TIANJIN SANAN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 20 Haitainan Road Huayuan New Technology Industry Development Area Xiqing District Tianjin 300384 (CN)
Inventeurs : JIN, Chao; (CN).
HSIEH, Chuang Yu; (CN).
HSIEH, Chen Kang; (CN).
WANG, Duxiang; (CN).
WU, Chaoyu; (CN).
MA, Chih Pang; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610267719.0 27.04.2016 CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 发光二极管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a light-emitting diode and a manufacturing method therefor. The structure thereof comprises: a light-emitting epitaxial lamination layer comprising a first-type semiconductor layer (221), an active layer (122) and a second-type semiconductor layer (222), and having a first surface and a second surface opposite to each other, wherein the first surface is a light-exiting surface; a conductive layer (240) formed on the second surface of the light-emitting epitaxial lamination layer and comprising a physical coating layer (241) and a chemical coating layer (243), wherein the physical coating layer (241) is adjacent to the light-emitting epitaxial lamination layer and has a split (242), and the chemical coating layer (243) fills the split (242) in the physical coating layer (241); and a substrate (260) connected to the light-emitting epitaxial lamination layer by means of the conductive layer (240). The conductive layer (240) is formed using a method of combining vacuum evaporation and chemical coating, so that metal is filled in a gap generated during the process of vacuum evaporation, thereby increasing a current conduction area, reducing the voltage, and improving the ESD performance.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente et son procédé de fabrication. La structure de ladite diode électroluminescente comprend : une couche de stratification épitaxiale électroluminescente comprenant une couche semi-conductrice d'un premier type (221), une couche active (122) et une couche semi-conductrice d'un second type (222), et présentant une première surface et une seconde surface en regard l'une de l'autre, la première surface étant une surface de sortie de lumière ; une couche conductrice (240) formée sur la seconde surface de la couche de stratification épitaxiale électroluminescente et comprenant une couche de revêtement physique (241) et une couche de revêtement chimique (243), la couche de revêtement physique (241) étant adjacente à la couche de stratification épitaxiale électroluminescente et comportant une fente (242), et la couche de revêtement chimique (243) remplissant la fente (242) dans la couche de revêtement physique (241) ; et un substrat (260) connecté à la couche de stratification épitaxiale électroluminescente au moyen de la couche conductrice (240). La couche conductrice (240) est formée au moyen d'un procédé consistant à combiner une évaporation sous vide et un revêtement chimique, de manière qu'un métal remplisse un espace généré pendant le processus d'évaporation sous vide, ce qui permet d'augmenter l'aire de conduction de courant, de réduire la tension et d'améliorer les performances de DES.
(ZH)一种发光二极管及其制作方法,其结构包括:发光外延叠层,包括第一类型半导体层(221)、有源层(122)和第二类型半导体层(222),具有相对的第一表面和第二表面,其中第一表面为出光面;导电层(240),形成于所述发光外延叠层的第二表面,包括物理镀膜层(241)和化学镀膜层(243),其中所述物理镀膜层(241)邻近所述发光外延叠层,具有裂缝(242),所述化学镀膜层(243)填充所述物理镀膜层(241)中的裂缝(242);基板(260),通过所述导电层(240)与所述发光外延叠层连接。利用真空蒸镀与化学镀膜结合的方法形成导电层(240),从而在真空蒸镀过程产生的缝隙中填充金属,增加电流导通面积,降低电压,改善ESD性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)