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1. (WO2017185774) STRUCTURE DE CELLULE SOLAIRE À QUATRE JONCTIONS RETOURNÉE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication :    WO/2017/185774    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/111669
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 23.12.2016
CIB :
H01L 31/0687 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : TIANJIN SANAN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 20 Haitainan Road Huayuan New Technology Industry Development Area Xiqing District Tianjin 300384 (CN)
Inventeurs : LI, Senlin; (CN).
BI, Jingfeng; (CN).
SONG, Minghui; (CN).
LIU, Guanzhou; (CN).
LI, Mingyang; (CN).
CHEN, Wenjun; (CN).
WU, Chaoyu; (CN).
WANG, Duxiang; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610267703.X 27.04.2016 CN
Titre (EN) FLIP FOUR-JUNCTION SOLAR CELL STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE CELLULE SOLAIRE À QUATRE JONCTIONS RETOURNÉE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种倒装四结太阳能电池结构及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a flip four-junction solar cell structure and a preparation method therefor. Firstly, a GaInP sub-cell and a GaAs sub-cell are formed on a GaAs substrate in sequence by means of MOCVD or an MBE, and then a SiGeSn sub-cell and a SiGe sub-cell are grown by means of UHVCVD. This cell structure has good current matching and lattice matching, and can achieve a high crystalline quality and cell efficiency.
(FR)L'invention concerne une structure de cellule solaire à quatre jonctions retournée et son procédé de préparation. Tout d'abord, une sous-cellule GaInP et une sous-cellule GaAs sont formées sur un substrat GaAs en séquence au moyen d'une technique MOCVD ou MBE, puis on fait croître une sous-cellule SiGeSn et une sous-cellule SiGe au moyen d'une technique UHVCVD. Cette structure de cellule présente une bonne adaptation de courant et un bon accord de maille, et permet d'obtenir une haute qualité cristalline et un haut rendement de cellule.
(ZH)一种倒装四结太阳能电池结构及其制备方法,首先利用MOCVD或是MBE在GaAs衬底上依次形成GaInP子电池和GaAs子电池,然后再利用UHVCVD生长SiGeSn子电池和SiGe子电池。这种电池结构具有良好的电流匹配和晶格匹配,能获得高的晶体质量和电池效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)