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1. (WO2017184525) STRUCTURES INTÉGRÉES COMPRENANT UN MATÉRIAU CONTENANT DU SILICIUM, DE L'AZOTE ET AU MOINS UN ÉLÉMENT PARMI LE CARBONE, L'OXYGÈNE, LE BORE ET LE PHOSPHORE
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N° de publication :    WO/2017/184525    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/027995
Date de publication : 26.10.2017 Date de dépôt international : 17.04.2017
CIB :
H01L 27/11524 (2017.01), H01L 27/11551 (2017.01), H01L 27/11529 (2017.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventeurs : DORHOUT, Justin, B.; (US).
WANG, Fei; (US).
CARTER, Chet, E.; (US).
LABORIANTE, Ian; (US).
HOPKINS, John, D.; (US).
SHROTRI, Kunal; (US).
MEYER, Ryan; (US).
SHAMANNA, Vinayak; (US).
PAREKH, Kunal, R.; (US).
ROBERTS, Martin, C.; (US).
PARK, Matthew; (US)
Mandataire : MATKIN, Mark, S.; (US).
LATWESEN, David, G.; (US).
SHAURETTE, James, D.; (US).
HENDRICKSEN, Mark, W.; (US).
GRZELAK, Keith, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/133,119 19.04.2016 US
Titre (EN) INTEGRATED STRUCTURES INCLUDING MATERIAL CONTAINING SILICON, NITROGEN, AND AT LEAST ONE OF CARBON, OXYGEN, BORON AND PHOSPHORUS
(FR) STRUCTURES INTÉGRÉES COMPRENANT UN MATÉRIAU CONTENANT DU SILICIUM, DE L'AZOTE ET AU MOINS UN ÉLÉMENT PARMI LE CARBONE, L'OXYGÈNE, LE BORE ET LE PHOSPHORE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include an integrated structure having vertically-stacked conductive levels alternating with dielectric levels. A layer over the conductive levels includes silicon, nitrogen, and one or more of carbon, oxygen, boron and phosphorus. In some embodiments the vertically-stacked conductive levels are wordline levels within a NAND memory array. Some embodiments include an integrated structure having vertically- stacked conductive levels alternating with dielectric levels. Vertically- stacked NAND memory cells are along the conductive levels within a memory array region. A staircase region is proximate the memory array region. The staircase region has electrical contacts in one-to-one correspondence with the conductive levels. A layer is over the memory array region and over the staircase region. The layer includes silicon, nitrogen, and one or more of carbon, oxygen, boron and phosphorus.
(FR)Certains modes de réalisation comprennent une structure intégrée comportant des niveaux conducteurs empilés verticalement en alternance avec des niveaux diélectriques. Une couche sur les niveaux conducteurs comprend du silicium, de l'azote et un ou plusieurs éléments parmi le carbone, l'oxygène, le bore et le phosphore. Dans certains modes de réalisation, les niveaux conducteurs empilés verticalement sont des niveaux de ligne de mots au sein d'une matrice mémoire NON-ET. Certains modes de réalisation comprennent une structure intégrée comportant des niveaux conducteurs empilés verticalement en alternance avec des niveaux diélectriques. Des cellules de mémoire NON-ET empilées verticalement se situent le long des niveaux conducteurs au sein d'une région de matrice mémoire. Une région en escalier se situe à proximité de la région de matrice mémoire. La région en escalier comporte des contacts électriques en correspondance biunivoque avec les niveaux conducteurs. Une couche se trouve sur la région de réseau de matrice mémoire et sur la région en escalier. La couche comprend du silicium, de l'azote et un ou plusieurs éléments parmi le carbone, l'oxygène, le bore et le phosphore.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)