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1. (WO2017183612) COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UNE RÉSINE DE NAPHTOL-ARALKYLE

Pub. No.:    WO/2017/183612    International Application No.:    PCT/JP2017/015490
Publication Date: Fri Oct 27 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Apr 18 01:59:59 CEST 2017
IPC: G03F 7/11
G03F 7/20
G03F 7/26
H01L 21/027
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
日産化学工業株式会社
Inventors: KARASAWA, Ryo
柄澤 涼
HASHIMOTO, Keisuke
橋本 圭祐
Title: COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UNE RÉSINE DE NAPHTOL-ARALKYLE
Abstract:
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un film de sous-couche de réserve pour lithographie, qui ne subit pas de mélange avec une couche de réserve, a une résistance élevée à la gravure à sec et une résistance à la chaleur élevée, présente une faible diminution de masse à des températures élevées et présente une couverture uniforme d'un substrat irrégulier; et une composition filmogène de sous-couche de réserve pour former le film de sous-couche de réserve. La solution selon l'invention consiste en une composition filmogène de sous-couche de réserve qui contient un polymère contenant une structure unitaire représentée par la formule (1). La structure unitaire représentée par la formule (1) est la structure unitaire représentée par la formule (2). Un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur, qui comprend : une étape de formation d'un film de sous-couche de réserve sur un substrat semi-conducteur à l'aide de la composition de formation de film de sous-couche de réserve; une étape de formation d'un masque dur sur le film de sous-couche de réserve; une étape de formation ultérieure d'un film de réserve sur le masque dur; une étape de formation d'un motif de réserve par irradiation et développement de la réserve à l'aide de lujjière ou d'un faisceau d'électrons; une étape de formation d'un motif par gravure chimique du masque dur à l'aide du motif de réserve; une étape de formation d'un motif par gravure du film de sous-couche à l'aide du masque dur à motifs; et une étape de traitement du substrat semi-conducteur à l'aide du film de sous-couche de réserve à motifs.