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1. (WO2017183383) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/183383 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/011517
Date de publication : 26.10.2017 Date de dépôt international : 22.03.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/359 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
357
Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
359
appliqué aux porteurs de charge en excès générés par l'exposition, p.ex. bavure, tache, image fantôme, diaphonie ou fuite entre les pixels
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants : TOWERJAZZ PANASONIC SEMICONDUCTOR CO., LTD.[JP/JP]; 800 Higashiyama, Uozu City, Toyama 9378585, JP
Inventeurs : TANAKA Hiroshi; JP
ODA Masahiro; JP
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
Données relatives à la priorité :
2016-08506121.04.2016JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) This solid-state imaging device is provided with: a substrate 9; a first impurity region 3a of a first conductivity type, which is provided within the substrate 9; a light receiving part 3b of a second conductivity type, which is formed within the first impurity region; an overflow drain region 22 of the second conductivity type, which is provided below the first impurity region 3a; a second impurity region 2 of the second conductivity type, which constitutes, together with the overflow drain region 22, a discharge path for excess charge that is generated in the light receiving part 3b; and a reflective film 1b.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui est pourvu de : un substrat 9 ; une première région d'impureté 3a d'un premier type de conductivité, qui est disposée dans le substrat 9 ; une partie de réception de lumière 3b d'un deuxième type de conductivité, qui est formée dans la première région d'impureté ; une région de drain de dépassement 22 du deuxième type de conductivité, qui est disposée au-dessous de la première région d'impureté 3a ; une deuxième région d'impureté 2 du deuxième type de conductivité, qui constitue, conjointement avec la région de drain de dépassement 22, un trajet de décharge pour la charge en excès qui est générée dans la partie de réception de lumière 3b ; et un film réfléchissant 1b.
(JA) 本発明の固体撮像装置は、基板9と、基板9内に設けられた第1導電型の第1不純物領域3aと、第1不純物領域内に形成された第2導電型の受光部3bと、第1不純物領域3aの下に設けられた第2導電型のオーバーフロードレイン領域22と、オーバーフロードレイン領域22とともに、受光部3bで発生した過剰電荷の排出経路を構成する第2導電型の第2不純物領域2と、反射膜1bとを備えている。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)