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1. (WO2017182910) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/182910 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/052071
Date de publication : 26.10.2017 Date de dépôt international : 11.04.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.[JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; JP
KURIKI, Kazutaka; JP
EGI, Yuji; JP
ISHIHARA, Noritaka; JP
NONAKA, Yusuke; JP
YAMANE, Yasumasa; JP
TOKUMARU, Ryo; JP
MATSUBAYASHI, Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2016-08629922.04.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
Abrégé : front page image
(EN) In order to provide a semiconductor device having excellent reliability, a first insulator, a second insulator, and a third insulator are formed on a first conductor; the third insulator is subjected to a microwave-excited plasma process; an island-shaped first oxide semiconductor is formed, and a second conductor and a third conductor are formed on the first oxide semiconductor; an oxide semiconductor film, a first insulation film, and a conductive film are formed on the first oxide semiconductor, the second conductor, and the third conductor; the first insulation film and a portion of the conductive film are removed, and a fourth insulator and a fourth conductor are formed; a second insulation film is formed so as to cover the oxide semiconductor film, the fourth insulator, and the fourth conductor; the oxide semiconductor film and a portion of the second insulation film are removed, and a second oxide semiconductor and a fifth insulator are formed, thereby exposing the side surfaces of the first oxide semiconductor; a sixth insulator is formed contacting that side surface and the side surfaces of the second oxide semiconductor; a seventh insulator is formed contacting the sixth insulator; and a thermal process is performed.
(FR) Afin de fournir un dispositif à semi-conducteur ayant une excellente fiabilité, un premier isolant, un deuxième isolant et un troisième isolant sont formés sur un premier conducteur; le troisième isolant est soumis à un traitement au plasma excité par micro-ondes; un premier semi-conducteur à oxyde en forme d'îlot est formé, et un deuxième conducteur ainsi qu'un troisième conducteur sont formés sur le premier semi-conducteur à oxyde; un film de semi-conducteur à oxyde, un premier film isolant, et un film conducteur sont formés sur le premier semi-conducteur à oxyde, le deuxième conducteur et le troisième conducteur; le premier film isolant et une partie du film conducteur sont retirés, et un quatrième isolant ainsi qu'un quatrième conducteur sont formés; un second film isolant est formé de manière à recouvrir le film de semi-conducteur à oxyde, le quatrième isolant et le quatrième conducteur; le film de semi-conducteur à oxyde et une partie du deuxième film isolant sont retirés, et un second semi-conducteur à oxyde ainsi qu'un cinquième isolant sont formés, exposant ainsi les surfaces latérales du premier semi-conducteur à oxyde; un sixième isolant est formé en contact avec cette surface latérale et les surfaces latérales du second semi-conducteur à oxyde; un septième isolant est formé en contact avec le sixième isolant; et un traitement thermique est effectué.
(JA) 要約書 良好な信頼性を有する半導体装置を提供する。 第1の導電体を形成し、 第1の導電体上に第1の絶縁体を形成し、 第1の絶縁体上に第2の絶縁体を 形成し、 第2の絶縁体上に第3の絶縁体を形成し、 第3の絶縁体にマイクロ波励起プラズマ処理を行 い、 第3の絶縁体上に、 島状の第1の酸化物半導体と、 第1の酸化物半導体上の第2の導電体、 およ び第3の導電体と、を形成し、第1の酸化物半導体、第2の導電体、および第3の導電体上に、酸化 物半導体膜を形成し、 酸化物半導体膜上に、 第1の絶縁膜を形成し、 第1の絶縁膜上に導電膜を形成 し、第1の絶縁膜、および導電膜の一部を除去し、第4の絶縁体、および第4の導電体を形成し、酸 化物半導体膜と、第4の絶縁体と、第4の導電体と、を覆うように、第2の絶縁膜を形成し、酸化物 半導体膜、 および第2の絶縁膜、 の一部を除去し、 第2の酸化物半導体、 および第5の絶縁体を形成 することで、 第1の酸化物半導体の側面を露出し、 第1の酸化物半導体の側面、 および第2の酸化物 半導体の側面と接して、 第6の絶縁体を形成し、 第6の絶縁体と接して、 第7の絶縁体を形成し、 加 熱処理を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)