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1. (WO2017181167) DISPOSITIFS AU GAN FABRIQUÉS PAR COLLAGE DE TRANCHES
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N° de publication : WO/2017/181167 N° de la demande internationale : PCT/US2017/027878
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 17.04.2017
CIB :
H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/461 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY[US/US]; 77 Massachusetts Ave Cambridge, Massachusetts 02139, US
Inventeurs : RADWAY, Robert M.; US
PALACIOS, Tomas A.; US
Mandataire : COLICE, Christopher Max; US
LUO, Yushan; US
TEJA, Joseph, Jr.; US
CAMPBELL, Christopher C.; US
Données relatives à la priorité :
62/323,05015.04.2016US
Titre (EN) GAN DEVICES FABRICATED VIA WAFER BONDING
(FR) DISPOSITIFS AU GAN FABRIQUÉS PAR COLLAGE DE TRANCHES
Abrégé : front page image
(EN) A wafer bonding technique to fabricate GaN devices is disclosed. In this technique, a GaN layer (or a GaN stack including at least one GaN layer) is fabricated on a first substrate (e.g., a silicon substrate) and has a high quality surface with a dislocation density less than 1010/cm2. The assembly of the first substrate and the GaN layer is then bonded to a second substrate (e.g., a carbide substrate or an AlN substrate) by coupling the high quality surface to the second substrate. The high quality of the GaN surface in contact with the carbide substrate creates a good thermal contact. The first substrate is etched away to expose a GaN surface for further processing, such as electrode formation.
(FR) L'invention concerne une technique de collage de tranches pour fabriquer des dispositifs au GaN. Dans cette technique, une couche de GaN (ou un empilement de GaN comprenant au moins une couche de GaN) est fabriqué(e) sur un premier substrat (par exemple, un substrat en silicium) et présente une surface de haute qualité à densité de dislocations inférieure à 1010/cm2. L'ensemble composé du premier substrat et de la couche de GaN est ensuite collé à un second substrat (par exemple, un substrat en carbure ou un substrat en AlN) par accouplement de la surface de haute qualité au second substrat. La haute qualité de la surface de GaN en contact avec le substrat en carbure crée un bon contact thermique. Le premier substrat est éliminé par gravure pour mettre à nu une surface de GaN en vue d'un traitement ultérieur, tel qu'une formation d'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)