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1. (WO2017181121) TRANSISTORS HAUTE TENSION À GRANDE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS À BASE DE GAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/181121    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/027780
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 14.04.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01)
Déposants : MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/US]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851 (US)
Inventeurs : BOLES, Timothy, E.; (US).
CARLSON, Douglas; (US).
KALETA, Anthony; (US)
Mandataire : GOODBERLET, James, G.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/323,569 15.04.2016 US
15/223,734 29.07.2016 US
15/223,614 29.07.2016 US
62/323,568 15.04.2016 US
Titre (EN) HIGH-VOLTAGE GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS HAUTE TENSION À GRANDE MOBILITÉ D'ÉLECTRONS À BASE DE GAN
Abrégé : front page image
(EN)High-voltage, gallium-nitride HEMTs are described that are capable of withstanding reverse-bias voltages of at least 900 V and, in some cases, in excess of 2000 V with low reverse-bias leakage current. A HEMT may comprise a lateral geometry having a gate, gate-connected field plate, and source-connected field plate.
(FR)La présente invention concerne des TGME haute tension à base de nitrure de gallium capables de résister à des tensions de polarisation inverse d'au moins 900 V et, dans certains cas, dépassant 2000 V avec un faible courant de fuite en polarisation inverse. Un TGME peut comprendre une géométrie latérale comportant une grille, une plaque de champ connectée à la grille et une plaque de champ connectée à la source.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)